китай категории
Русский язык

транзисторы силы подсказки 2Н5551 для электронных блоков ВКБО 180В

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт

Add to Cart

Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа: в рамках 14 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 2Н5551 (НПН)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Применение переключения Ÿ общецелевое

 

 

ОТМЕЧАТЬ

 

код 2Н5551=Девисе

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор

З=Ранк хФЭ

 

 

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер деталиСпособ уплотнения прокладкамиКоличество пакета
2Н5551Большая часть1000пкс/Баг
2Н5551-ТАЛента2000пкс/Бокс


 

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

 

СимволПараметрЗначениеБлок
ВКБОНапряжение тока коллектора- база180В
ВКЭОНапряжение тока коллектор- эмиттера160В
ВЭБОНапряжение тока Излучател-основания6В
ИКТечение сборника0,6А
ПКДиссипация силы сборника625мВ
Р0 ДЖАТермальное сопротивление от соединения к окружающему200Š /W
ТджТемпература соединения150Š
ЦтгТемпература хранения-55~+150Š

 

 

 

 


ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

 

 

Животики =25 Š если не указано иное

 

 

ПараметрСимволУсловия испытанийМинутаТипМаксБлок
Пробивное напряжение коллектора- базаВ (БР) КБОИК=100μА, Т.Е. =0180  В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттераВ (БР) КЭО*ИК=1мА, ИБ=0160  В
пробивное напряжение Излучател-основанияВ (БР) ЭБОТ.Е. =10ΜА, ИК=06  В
Течение выключения сборникаИКБОВКБ=120В, Т.Е. =0  50нА
Течение выключения излучателяИЭБОВЭБ=4В, ИК=0  50нА

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1)ВКЭ=5В, ИК=1мА80   
 хФЭ (2)ВКЭ=5В, ИК=10мА100 300 
 хФЭ (3)ВКЭ=5В, ИК=50мА50   
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера(Сидеть) ВКЭ ˄1˅ИК=10мА, ИБ=1мА  0,15В
 (Сидеть) ВКЭ ˄2˅ИК=50мА, ИБ=5мА  0,2В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя(Сидеть) ВБЭ ˄1˅ИК=10мА, ИБ=1мА  1В
 (Сидеть) ВБЭ ˄2˅ИК=50мА, ИБ=5мА  1В
Емкость выхода сборникаУдарВКБ=10В, Т.Е. =0, ф=1МХз  6пФ
Входная емкость излучателяСибВБЭ=0.5В, ИК=0, ф=1МХз  20пФ
Частота переходафтВКЭ=10В, ИК=10мА, ф=100МХз100 300МХз

 
  

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)

РЯДАБК
РЯД100-150150-200200-300

 

 

 

 

Типичные характеристики

 


 

 

 

 

 


 
 

 Размеры плана пакета
 

СимволРазмеры в миллиметрахРазмеры в дюймах
 МинутаМаксМинутаМакс
А3,3003,7000,1300,146
А11,1001,4000,0430,055
б0,3800,5500,0150,022
к0,3600,5100,0140,020
Д4,3004,7000,1690,185
Д13,430 0,135 
Э4,3004,7000,1690,185
е1,270 ТИП0,050 ТИПА
е12,4402,6400,0960,104
Л14,10014,5000,5550,571
0 1,600 0,063
х0,0000,3800,0000,015

 

 

China транзисторы силы подсказки 2Н5551 для электронных блоков ВКБО 180В supplier

транзисторы силы подсказки 2Н5551 для электронных блоков ВКБО 180В

Запрос Корзина 0