Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое
Место происхождения:Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа:1000-2000 ПК
Упаковывая детали:Положенный в коробку
Срок поставки:1 до 2 недели
Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день
контакт
Add to Cart
Активный участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун
последний раз поставщика входа:
в рамках 14 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов 3ДД13002Б (НПН)
ОСОБЕННОСТЬ
Применения переключения силы
ОТМЕЧАТЬ
код 13002Б=Девисе
Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы, если никакой, нормальный прибор
ССС=Коде
УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
| Номер детали | Пакет | Способ уплотнения прокладками | Количество пакета |
| 3ДД13002Б | ТО-92 | Большая часть | 1000пкс/Баг |
| 3ДД13002Б-ТА | ТО-92 | Лента | 2000пкс/Бокс |
МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)
| Символ | Параметр | Значение | Блок |
| ВКБО | Напряжение тока коллектора- база | 600 | В |
| ВКЭО | Напряжение тока коллектор- эмиттера | 400 | В |
| ВЭБО | Напряжение тока Излучател-основания | 6 | В |
| ИК | Течение сборника - непрерывное | 0,8 | А |
| ПК | Диссипация силы сборника | 0,9 | В |
| ТДж | Температура соединения | 150 | ℃ |
| Цтг | Температура хранения | -55 | 150 | ℃ |
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Животики =25 Š если не указано иное
Параметр | Символ | Условия испытаний | Минута | Тип | Макс |
Блок |
| Пробивное напряжение коллектора- база | В (БР) КБО | ИК=100μА, Т.Е. =0 | 600 | В | ||
| Пробивное напряжение коллектор- эмиттера | ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР) | ИК=1мА, ИБ=0 | 400 | В | ||
| пробивное напряжение Излучател-основания | В (БР) ЭБО | Т.Е. = 100μА, ИК=0 | 6 | В | ||
Течение выключения сборника | ИКБО | ВКБ= 600В, Т.Е. =0 | 100 | µА | ||
| ИКЭО | ВКЭ= 400В, ИБ=0 | 100 | µА | |||
| Течение выключения излучателя | ИЭБО | ВЭБ= 6 В, ИК=0 | 100 | µА | ||
Увеличение Дк к уррент | хФЭ1 | ВКЭ= 10 в, ИК=200мА | 9 | 40 | ||
| хФЭ2 | ВКЭ= 10 в, ИК=0.25мА | 5 | ||||
| Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера | (Сидеть) ВКЭ | ИК=200мА, ИБ=40мА | 0,5 | В | ||
| напряжение тока сатурации Основани-излучателя | (Сидеть) ВБЭ | ИК=200мА, ИБ=40мА | 1,1 | В | ||
Частота перехода |
фт | ВКЭ=10В, ИК=100мА ф =1МХз |
5 |
МХз | ||
| Время падения | тф |
ИК=1А, ИБ1=-ИБ2=0.2А ВКК=100В | 0,5 | µс | ||
| Продолжительность хранения | тс | 2,5 | µс |
КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(2)
| Ряд | 9-15 | 15-20 | 20-25 | 25-30 | 30-35 | 35-40 |
Типичные характеристики
Размеры плана пакета ТО-92
| Символ | Размеры в миллиметрах | Размеры в дюймах | ||
| Минута | Макс | Минута | Макс | |
| А | 3,300 | 3,700 | 0,130 | 0,146 |
| А1 | 1,100 | 1,400 | 0,043 | 0,055 |
| б | 0,380 | 0,550 | 0,015 | 0,022 |
| к | 0,360 | 0,510 | 0,014 | 0,020 |
| Д | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| Д1 | 3,430 | 0,135 | ||
| Э | 4,300 | 4,700 | 0,169 | 0,185 |
| е | 1,270 ТИП | 0,050 ТИПА | ||
| е1 | 2,440 | 2,640 | 0,096 | 0,104 |
| Л | 14,100 | 14,500 | 0,555 | 0,571 |
| Φ | 1,600 | 0,063 | ||
| х | 0,000 | 0,380 | 0,000 | 0,015 |
Напряжение тока сатурации цепи ВКЭО 400В транзистора наивысшей мощности 3ДД13002Б низкое
Запрос Корзина
0