Цепь транзистора Д965 НПН, высокая эффективность транзистора силы НПН

Место происхождения:Шэньчжэнь Китай

Количество минимального заказа:1000-2000 ПК

Упаковывая детали:Положенный в коробку

Срок поставки:1 до 2 недели

Термины компенсации:Соединение Л/К Т/Т западное

Способность поставкы:18,000,000ПКС/в день

контакт

Add to Cart

CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Активный участник

Shenzhen Guangdong China

Адрес: Комната 2013, здание DingCheng международное, дорога ZhenHua, район FuTian, Шэньчжэнь, провинция Гуандун

последний раз поставщика входа: в рамках 14 .

контактная информация

Информация о продукте Профиль Компании

Информация о продукте

ТО-92 Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов Д965 (НПН)

ОСОБЕННОСТЬ

Усилитель Ÿ аудио

Блок вспышки Ÿ камеры

Цепь переключения Ÿ

ОТМЕЧАТЬ

Код Д965=Девисе

Твердое тело дот=Грен прибор литьевой массы,

если никакой, нормальный прибор

З=Ранк хФЭ, ССС=Коде

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Номер детали	Пакет	Способ уплотнения прокладками	Количество пакета
Д965	ТО-92	Большая часть	1000пкс/Баг
Д965-ТА	ТО-92	Лента	2000пкс/Бокс

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (т =25 Š если не указано иное)

Символ	Метр Пара	Значение	Блок
ВКБО	Напряжение тока коллектора- база	42	В
ВКЭО	Напряжение тока коллектор- эмиттера	22	В
ВЭБО	Напряжение тока Излучател-основания	6	В
И_К	Течение сборника - непрерывное	5	А
П_Д	Диссипация силы сборника	750	мВ
Р0 ДЖА	Восходящий поток теплого воздуха сопротивляется соединению ром ф ансе к окружающему	166,7	Š/В
Т_дж	Температура соединения	150	Š
Цтг	Температура ораге Ст	-55 ~+150	Š

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Животики =25 Š если не указано иное

Параметр	Символ	Условия испытаний	МИНУТА	ТИП	МАКС	БЛОК
Пробивное напряжение коллектора- база	В (БР) КБО	И_К=0.1мА, Т.Е. =0	42			В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера	ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В (БР)	И_К=1мА, И_Б=0	22			В
пробивное напряжение Излучател-основания	В (БР) ЭБО	Т.Е. = 10µА, И_К=0	6			В
Течение выключения сборника	ИКБО	В_КБ=30В, Т.Е. =0			0,1	µА
Течение выключения излучателя	ИЭБО	В_ЭБ=6В, И_К=0			0,1	µА
Увеличение ДК настоящее	хФЭ (1)	В_КЭ=2В, И_К= 0,15 мамы	150
	хФЭ (2)	В_КЭ= 2В, И_к = 500 мам	340		2000
	хФЭ (3)	В_КЭ=2В, И_к = 2А	150
Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера	(Сидеть) ВКЭ	И_К=3000мА, мамы И_Б=100			0,35	В
Частота перехода	ф_т	В_КЭ=6В, И_К=50мА, ф=30МХз		150		МХз

КЛАССИФИКАЦИЯ _ФЭ х₍₂₎

Ряд	Р	Т	В
Ряд	340-600	560-950	900-2000

Типичные характеристики

Размеры плана пакета

Символ	Размеры в миллиметрах		Размеры в дюймах
	Минута	Макс	Минута	Макс
А	3,300	3,700	0,130	0,146
А1	1,100	1,400	0,043	0,055
б	0,380	0,550	0,015	0,022
к	0,360	0,510	0,014	0,020
Д	4,300	4,700	0,169	0,185
Д1	3,430		0,135
Э	4,300	4,700	0,169	0,185
е	1,270 ТИП		0,050 ТИПА
е1	2,440	2,640	0,096	0,104
Л	14,100	14,500	0,555	0,571
0		1,600		0,063
х	0,000	0,380	0,000	0,015

Профиль Компании

CO. электроники Шэньчжэня Huaxuan Yang, Ltd. профессиональные изготовитель, экспортер и изготовитель электронных блоков китайских брендов. Главные продукты полупроводниковые устройства как транзисторы и диоды MOS. Наши продукты главным образом использованы для беспроводной поручать, заряжателя, переключая электропитания, электропитания UPS, балласта, аудио, энергосберегающих ламп, продуктов связи и других электронных блоков. Качество продукции, экологически дружелюбный и неэтилированный, прошло аттестацию системы управления качеством ISO 90012008, аттестацию CTI экологическую.

Компания всегда поддерживает веру которой «требования к клиента наше преследование, интересы клиента наши интересы» и придерживается к общему соображению дела целостности, трансцендентальности, профессионализма, и сработанности. Это не только качественный и недорогой продукт для клиентов, но также зависит на улучшении обслуживаний и концепций. Это было мостом через мир и интегрировано в глобальный экономический прилив.