дроссель единого режима 1.5µХ защищал Виревоунд индуктор 100кХз для применения ПКБ
Номер модели:1217АС-Х-1Р5Н=П3
Место происхождения:Гуандун, Шэньчжэнь
Количество минимального заказа:500/1000
Термины компенсации:TT, paypal, Западный союз
Способность поставкы:1кк-пкс/монтх
Срок поставки:Шток или 3 недели
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Адрес:
706, Huafa xiezilou, Huafa North Rd., Gongming Street, 518106, Шэнь Чжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 1 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
1217AS-H-1R5N=P3 1.5µH защищало Wirewound индуктор для применения PCB
Описание:
Описание: ЗАФИКСИРОВАННЫЙ IND 1.5UH 9.4A 7,6 MOHM
Модули тренировки продукта: индукторы силы
Состояние части: Активный
Тип: Wirewound
Материал - ядр: Феррит
Индуктивность: 1.5µH
Допуск: ±30%
Настоящая оценка: 9.4A
Настоящий - сатурация: 11.2A
Защищать: Защищенный
Сопротивление DC (DCR): mOhm 7,6 максимальное
Частота индуктивности - тест: 100kHz
Устанавливать тип: Поверхностный держатель
Пакет/случай: Нештатный
| Часть Номер | Индуктивность (μH) | Допуск (%) | DC Сопротивление (mΩ) максимальный (тип.) | Индуктивность Течение уменшения (3) (A) максимальный (тип.) =30% | Температура Течение подъема (3) ΔT=40°C (A) максимальный (тип.) |
| 1217AS-H-1R5N=P3 | 1,5 | ±30 | 7,6 (6,5) | 11,2 (15,0) | 9,4 (11,0) |
| 1217AS-H-2R2N=P3 | 2,2 | ±30 | 9,9 (8,3) | 9,3 (12,4) | 8,7 (10,0) |
| 1217AS-H-3R3N=P3 | 3,3 | ±30 | 14,4 (12) | 7,7 (10,3) | 6,8 (8,0) |
| 1217AS-H-4R7N=P3 | 4,7 | ±30 | 18,0 (15) | 6,7 (9,0) | 6,3 (7,4) |
| 1217AS-H-5R6N=P3 | 5,6 | ±30 | 22,8 (19) | 6,1 (8,1) | 5,4 (6,4) |
| 1217AS-H-6R8N=P3 | 6,8 | ±30 | 27,6 (23) | 5,2 (7,0) | 4,8 (5,6) |
| 1217AS-H-8R2M=P3 | 8,2 | ±20 | 33,6 (28) | 4,8 (6,4) | 4,5 (5,3) |
| 1217AS-H-100M=P3 | 10 | ±20 | 39,6 (33) | 4,3 (5,7) | 3,9 (4,6) |
| 1217AS-H-150M=P3 | 15 | ±20 | 52,8 (44) | 3,3 (4,4) | 3,5 (4,1) |
| 1217AS-H-180M=P3 | 18 | ±20 | 76,8 (64) | 3,2 (4,3) | 2,9 (3,4) |
| 1217AS-H-220M=P3 | 22 | ±20 | 93,6 (78) | 2,9 (3,9) | 2,4 (2,8) |
| 1217AS-H-330M=P3 | 33 | ±20 | 132,0 (110) | 2,3 (3,1) | 2,2 (2,6) |
| 1217AS-H-470M=P3 | 47 | ±20 | 204,0 (170) | 2,1 (2,8) | 1,8 (2,1) |
дроссель единого режима 1.5µХ защищал Виревоунд индуктор 100кХз для применения ПКБ
Запрос Корзина
0