китай категории
Русский язык

Модуль транзистора МГ200К1УС51 модуля наивысшей мощности ИГБТ Тошиба высокоскоростной

Номер модели:MG200Q1US51
Место происхождения:Япония
Количество минимального заказа:1шт
Термины компенсации:Западное соединение, T/T, L/C, Paypal
Способность поставкы:1000pcs/день
Срок поставки:0-2 дней
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Guangzhou Hebei China
Адрес: 10/Ф, здание Джя Юе, дорога Чебэй, район Тянхэ, Гуанчжоу, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 28 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Модуль транзистора модуля силы МГ200К1УС51 Тошиба ИГБТ

МГ200К1УС51

 

 

Характер продукции

 

Изготовленный мимо: Тошиба Америка, Инк.
Номер детали: МГ200К1УС51

Категория части: Транзисторы
Описание: 300А, 1200В, Н-КАНАЛ ИГБТ
Напряжение тока коллектор- эмиттера: 1200В
Напряжение тока Ворот-излучателя: 20В
Течение сборника (ДК): 300А
Пропускной ток: (ДК): 200А
Диссипация силы сборника: 1500В
Температура соединения: 150К
Напряжение тока изоляции (АК 1 МИН.): 2500В
Входная емкость (ВКЭ=10В, ВГЭ=0, ф=1МХз): 24нФ
Время переключения: (Индуктивная нагрузка ВКК=600В, ИК=200А, ВГЭ=15В, РГ=4.7Ω)
- Турн-он время: тип 0.05с.
- Время восхода: тип 0.05с.
- Турн-он время: тип 0.2с.
- Время задержки поворота-: тип 0.5с.
- Время падения: тип 0.1с. ; 0.3с максимальное.
- Время поворота-: тип 0.6с.
Пропускное напряжение (ИФ=200А, ВГЭ=0): тип 2.4В. ; 3.5В максимальное
Обратное время восстановления: тип 0.15с. ; 0.3с максимальное.
(ИФ=200А, ВГЭ=-10В, ди/дт=700А/с)

 

 

Особенности

Высокое входное комплексное сопротивление
Быстрый ход
Низкое напряжение тока сатурации
Повышени-режим
Электроды изолированы от случая
 

 

Ф&А

 

Вы имеете партнера в этом поле?

Наша компания имеет партнеров хорош-отношения в поле управлением автоматизации. Так мы можем всегда получать суппорот для цены и запаса.

 

Что ваш прогноз для этой индустрии?

Как больше и больше работа сделанная машиной, наше поле имеет благородное пропект в течение многих лет.

 

Что ваши ресурсы?

Наша команда и наш канал как в покупать, так и в продажи.

 

China Модуль транзистора МГ200К1УС51 модуля наивысшей мощности ИГБТ Тошиба высокоскоростной supplier

Модуль транзистора МГ200К1УС51 модуля наивысшей мощности ИГБТ Тошиба высокоскоростной

Запрос Корзина 0