2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components
Номер модели:Субстраты InSb-Te
Место происхождения:Китай
Минимальное количество заказа:25pcs
Условия оплаты:T/T
Время доставки:в 30 днях
Подробная информация об упаковке:подгонянная коробка
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа:
в рамках 13 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
2 ∆ InSb-Te EPI субстраты узкополосный разрыв полупроводниковые субстраты Hall компоненты
Описание InSb-Te:
Антимонид индия (ИнСб), как вид бинарного соединения полупроводникового материала группы iii-V, был в центре исследований в областиполупроводникиИнСб обладает очень высокой производительностью и высокой производительностью.узкий пробел в полосе, очень небольшая эффективная масса электронов и очень высокая мобильность электронов, особенно примечательно, что он относится к внутреннему поглощению в спектральном диапазоне3-5 мкм, с почти 100-процентной квантовой эффективностью, что делает его предпочтительным материалом для приготовления средневолновойинфракрасные детекторы, а перспективы применения и коммерческий спрос огромны. Размер решетчатой структуры атома te и атома sb близки друг к другу,и структура валентной электронной оболочки также близка друг к другу. атом допируется в качестве заместителя для замены Sb в кристалле и играет роль донора.CZ-pullЭтот метод может быть использован для приготовления материалов из тела insb с определенной концентрацией те-допинга, и добавление te может изменить проводящий тип кристаллов insb,и также оказал важное влияние на электрические и оптические свойства материаловСоответствующие исследования заложили экспериментальную основу для пространственного ростаТе Допированные.
Особенности InSb-Te:
| Высокая концентрация носителя | Он обладает более высокой электрической проводимостью и низкой сопротивляемостью в электронных устройствах. |
| Высокая мобильность носителей | Он описывает носители в материале, которые двигаются под электрическим полем. |
| Определить характер | Допинг теллуром может увеличить теплоту кристаллических материалов InSb. Стабильность. |
| Поглощение света | Допинг теллуром может изменить структуру кристаллов InSb. |
| Излучение света | Те-допированный InSb может быть стимулирован для производства
светового излучения путем: Внешнее возбуждение или впрыск электронов. |
| Совместимость | ТЭ-допированный субстрат InSb имеет хорошее сочетание решетки с другими полупроводниками. |
| Тепловая стабильность | Допинг теллуром может улучшить тепловую устойчивость материалов InSb. |
| Оптические свойства | Допинг теллуром также оказывает определенное влияние на оптические свойства материалов InSb |
Технические параметры InSb-Te:
Параметр | InSb-Te-2in-510um-PP |
Способ выращивания | CZ |
Допирующее средство | Т |
Ориентация | (111) +/- 0,5° |
Угол ориентации | Никаких |
Закругление краев | 0.25 |
Диаметр | 50.5+/-0.5 |
Толщина | 510+/-25 |
Ориентация | EJ[01-1]+/-0,5° |
ДЛОГО | 16+/-2 |
Ориентация на ИФ | EJ[01-1]+/-0,5° |
Длина IF | 8+/-1 |
CC | |
Мобильность | >100000@77K |
EPD-AVE | ≤ 50 |
TTV | ≤ 10 |
TIR | ≤ 10 |
ВЫБОК | ≤ 10 |
Варп | ≤ 15 |
Передняя поверхность | Полированные |
Поверхность задней стороны | Полированные |
Пачагинг | Одноразовая поднос |
Применение InSb-Te:
1Высокоскоростные электронные устройства: кристаллы InSb, допированные теллуром, также имеют потенциал в высокоскоростных электронных устройствах.
2Квантовые устройства структуры: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки квантовых устройств структуры, таких как
Квантовые скважины и квантовые устройства.
3. оптоэлектронные устройства: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки различных оптоэлектронных устройств, таких как
фотодетекторы, фотоэлектрические усилители и фотоэлектрические преобразователи.
4Инфракрасный детектор: кристаллы InSb, допированные Te, могут быть использованы для подготовки высокопроизводительных инфракрасных детекторов.
Допинг теллуром может увеличить концентрацию и подвижность носителей.
5Инфракрасные лазеры: кристаллы InSb, допированные Te, также имеют потенциал применения в области инфракрасных лазеров.
Теллурий допинг в кристаллы InSb, полоса структура INSB кристаллов может реализовать работу инфракрасных лазеров.
Другие продукты, связанные с InSb-Te:
Часто задаваемые вопросы
Вопрос: Какой брендTe-InSb?
A: Название маркиTe-InSbэто ZMSH.
Вопрос: Что такое сертификацияTe-InSb?
A: СертификацияTe-InSbэто ROHS.
В: Где находится место происхожденияTe-InSb?
A: Место происхожденияTe-InSbЭто Китай.
Вопрос: каков MOQTe-InSb одновременно?
A: МОКTe-InSb25 штук за раз.
2" InSb-Te EPI субстраты узкополосные полупроводниковые субстраты Hall Components
Запрос Корзина
0