вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC
Номер модели:4h-n
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:3PCS
Условия оплаты:T/T, западное соединение
Способность поставки:1000PC/Month
Срок поставки:1-4weeks
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа:
в рамках 13 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
вафли 6H кремниевого карбида 2inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC
Преимущества кремниевого карбида
Твердость
Многочисленные преимущества к использованию кремниевого карбида над более традиционными субстратами кремния. Одно из главных преимуществ своя твердость. Это дает материалу много преимуществ, в быстром ходе, высокой температуре и/или высоковольтных применениях.
Вафли кремниевого карбида имеют высокую термальную проводимость, которой середины они могут возвратить жару от одного пункта к другому колодцу. Это улучшает свои электрическую проводимость и в конечном счете миниатюризацию, одну из общих целей переключать к вафлям SiC.
Термальные возможности
Высокоомный к термальному удару. Это значит что они имеет способность изменить температуры быстро без ломать или трескать. Это создает ясное преимущество изготовляя приборы по мере того как другая характеристика твердости которая улучшает продолжительность жизни и представление кремниевого карбида по сравнению с традиционным оптовым кремнием.
Классификация
Субстраты SiC кремниевого карбида можно разделить в 2 категории: полу-изолированные субстраты кремниевого карбида (ООН-dopend особой чистоты и V-данное допинг 4H-SEMI) с высокой резистивностью (resistorivity ≥107Ω·см), и проводные субстраты кремниевого карбида с низкой резистивностью (ряд резистивности 15-30mΩ·см).
Спецификация для вафель 6inch 4H-N sic.
(2inch, 3inch 4inch, вафля 8inch sic также доступно)
| Ранг | Нул продукций MPD Ранг (ранг z) | Ранг стандартной продукции (ранг p) | Фиктивная ранг (Ранг d) | |
| 99,5 mm~100.0 mm | ||||
| 4H-N | 350 μm±20 μm | 350 μm±25 μm | ||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | ||
| Ориентация вафли | ||||
| Плотность Micropipe | 4H-N | ≤0.5cm-2 | см-2 ≤2 | см-2 ≤15 |
| 4H-SI | ≤1cm-2 | см-2 ≤5 | см-2 ≤15 | |
| Резистивность ※ | 4H-N | 0.015~0.025 Ω·см | 0.015~0.028 Ω·см | |
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·см | ≥1E5 Ω·см | ||
| Основная плоская ориентация | {10-10} ±5.0° | |||
| Основная плоская длина | 32,5 mm±2.0 mm | |||
| Вторичная плоская длина | 18,0 mm±2.0 mm | |||
| Вторичная плоская ориентация | Кремний лицевой: 90°CW. от основного плоского ±5.0° | |||
| Исключение края | 3 mm | |||
| LTV/TTV/Bow /Warp | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | ||
Шершавость ※ | Польское Ra≤1 nm | |||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | |||
Отказы края светом высокой интенсивности
| Никакие | Кумулятивное ≤ длины 10 mm, одиночное length≤2 mm | ||
| Плиты наговора светом высокой интенсивности | Кумулятивная область ≤0.05% | Кумулятивная область ≤0.1% | ||
| Зоны Polytype светом высокой интенсивности | Никакие | Кумулятивное area≤3% | ||
| Визуальные включения углерода | Кумулятивная область ≤0.05% | Кумулятивная область ≤3% | ||
Царапины поверхности кремния светом высокой интенсивности | Никакие | Кумулятивный len „диаметр gth≤1×wafer | ||
| Край откалывает высоко светом интенсивности | Никакие позволили ширину и глубину ≥0.2 mm | 5 позволенных, ≤1 mm каждое | ||
Загрязнение поверхности кремния высокой интенсивностью | Никакие | |||
| кассета Мульти-вафли или одиночный контейнер вафли | ||||
Промышленная цепь
Цепь SiC кремниевого карбида промышленная разделена в подготовку субстрата материальную, рост эпитаксиального слоя, изготовлять прибора и идущие дальше по потоку применения. Монокристаллы кремниевого карбида обычно подготовлены физической передачей пара (методом PVT), и после этого эпитаксиальные листы произведены низложением химического пара (методом CVD) на субстрате, и уместные приборы в конце концов сделаны. В промышленной цепи приборов SiC, должной к затруднению технологии изготовления субстрата, значение промышленной цепи главным образом сконцентрировано в связи в верхней части потока субстрата.
Компания ZMSH обеспечивает обеспечивает вафли 100mm и 150mm SiC. Со своей твердостью (SiC второй самый трудный материал в мире) и стабильностью под жарой и высоковольтным течением, этот материал широко используется в нескольких индустрий.
Цена
Компания ZMSH предлагает самую лучшую цену на рынке для высококачественных вафель SiC и субстратов SiC кристаллических до 6 (6) диаметров дюйма. Наши гарантии политики цены соответствуя вы самая лучшая цена для продуктов SiC кристаллических с соответствующими спецификациями. КОНТАКТ США сегодня для того чтобы получить вашу цитату.
Изготовление на заказ
Подгонянные продукты SiC кристаллические можно сделать для того чтобы соотвествовать требованиям к и спецификациям клиента определенным.
Epi-вафли могут также быть выполненный на заказ по требованию.
вопросы и ответы
Q: Что путь условия доставки и цены и оплаты?
: (1) мы принимаем 50% T/T заранее и вышли 50% перед доставкой DHL, Federal Express, EMS etc.
(2) если вы имеете ваш собственный срочный счет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.
Перевозка в соответствии с фактическим поселением.
Q: Что ваше MOQ?
: (1) для инвентаря, MOQ 3pcs.
(2) для подгонянных продуктов, MOQ 10pcs вверх.
Q: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?
: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.
Q: Что срок поставки?
: (1) для стандартных продуктов
Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.
Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.
(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.
вафли 6H кремниевого карбида 2Inch или субстраты 4H N типа или Полу-изолируя SiC
Запрос Корзина
0