Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм
Номер модели:ГаН-001
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1шт
Термины компенсации:L/C, T/T
Способность поставкы:10pcs/month
Срок поставки:2-4 Weeks
контакт
Add to Cart
Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес:
Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа:
в рамках 13 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
вафля ГаН нитрида галлия метода 2инч ХВПЭ, свободные стоящие субстраты для ЛД, обломоки ГаН ГаН размера 10кс10мм, вафля ХВПЭ ГаН
О особенности ГаН введите
Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей имеет индустрию полупроводника мадете переосмыслить выбор материала используемые как полупроводники. Например, по мере того как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникают, польза кремния делает ее трудным вытерпеть закон Мооре. Но также в вафле производительности электроники, поэтому полупроводнике ГаН растет вне для потребности. Должен к своим уникальному пробивному напряжению характеристик (высокое максимальное настоящего, высокой, и высокой переключая частоте), нитрид ГаН галлия уникальный материал выбора для того чтобы разрешить энергитические проблемы будущего. ГаН основало системы имеет более высокий энергетический коэффициент полезного действия, таким образом уменьшающ потери электропитания, переключите на более высокой частоте, таким образом уменьшающ размер и вес. Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе, ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и кабельное телевидение инфраструктура в сети, участках воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность, малошумной диаграмме и высоких линеарностях. |
Спецификации для субстратов ГаН
| 2" субстраты ГаН | ||
| Деталь | ГаН-ФС-Н | ГаН-ФС-СИ |
| Размеры | ± 1мм Ф 50.8мм | |
| Плотность дефекта Марко | Уровень | см-2 ≤ 2 |
| Уровень б | > 2 см-2 | |
| Толщина | 330 µм ± 25 | |
| Ориентация | ± 0.5° К-оси (0001) | |
| Ориентация плоская | ± 0.5° (1-100), ± 16,0 1.0мм | |
| Вторичная ориентация плоская | ± 3° (11-20), 8,0 ± 1.0мм | |
| ТТВ (полное изменение толщины) | µм ≤15 | |
| СМЫЧОК | µм ≤20 | |
| Тип кондукции | Н типа | Полу-изолировать |
| Резистивность (300К) | < 0=""> | >106 Ω·см |
| Плотность дислокации | Чем 5кс106 см-2 | |
| Годная к употреблению поверхностная область | > 90% | |
| Полировать | Лицевая поверхность: Ра < 0=""> | |
| Задняя поверхность: Точная земля | ||
| Пакет | Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в одиночных контейнерах вафли, под атмосферой азота. | |
П-ГаН на сапфире
| Рост | МОКВД/ХВПЭ |
|---|---|
| Проводимость | Тип п |
| Допант | Мг |
| Концентрация | > 5Э17 км-3 |
| Толщина | 1 | 5 ум |
| Резистивность | < 0=""> |
| Субстрат | Ø 2"/Ø 3"/Ø 4" вафля сапфира |
Применения
- - Различное СИД: белое СИД, фиолетовое СИД, ультрафиолетов СИД, голубое СИД
- - Экологическое обнаружение
- Субстраты для эпитаксиального роста МОКВД етк
- - Лазерные диоды: фиолетовый ЛД, зеленый ЛД для ультра небольших репроекторов.
- - Электронные устройства силы
- - Высокочастотные электронные устройства
- Дисплей проекции лазера, прибор силы, етк.
- Хранение даты
- С низким энергопотреблением освещение
- Электронные устройства высокой эффективности
- Новая технология водопода солор энергии
- Диапазон терахэртц источника света
Вафля ГаН нитрида галлия ХВПЭ, положение обломока Ган свободное размер 10 кс 10 мм
Запрос Корзина
0