Ундопед полу- изолируя вафля ХВПЭ нитрида галлия и тип шаблона

Растущий спрос для высокоскоростных, высокотемпературных и высоких сил-регулируя возможностей делал

индустрия полупроводника переосмысливает выбор материала используемые как полупроводники. Например,

по мере того как различные более быстрые и более небольшие вычислительные приборы возникают, польза кремния делает ее трудной вытерпеть закон Мооре. Но также в вафле производительности электроники, поэтому полупроводнике ГаН растет вне для потребности.

Должен к своим уникальному пробивному напряжению характеристик (высокое максимальное настоящего, высокой, и высокой переключая частоте), нитрид ГаН галлия уникальный материал выбора для того чтобы разрешить энергитические проблемы будущего. ГаН основало системы имеет более высокий энергетический коэффициент полезного действия, таким образом уменьшающ потери электропитания, переключите на более высокой частоте, таким образом уменьшающ размер и вес.

Технология ГаН использована в многочисленных высокомощных применениях как электропитания промышленных, потребителя и сервера, привод солнечных, АК и инверторы УПС, и гибридные и электрические автомобили. Фуртерморе,

ГаН идеально одето для применений РФ как клетчатые базовые станции, радиолокаторы и кабельное телевидение

инфраструктура в участках сети, воздушно-космического пространства и обороны, спасибо своя высокая пробивная напряженность,

малошумная диаграмма и высокие линеарности.