китай категории
Русский язык

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Номер модели:4инч--семи особая чистота
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:1шт
Способность поставкы:100pcs/months
Срок поставки:15days
Упаковывая детали:Упакованный в окружающей среде чистой комнаты класса 100, в кассетах одиночных контейнеров вафли
контакт

Add to Cart

Проверенные Поставщика
Shanghai Shanghai China
Адрес: Комната 1-1805, No.1079 улица Дианшанху, район Цинпу, город Шанхай, Китай /201799
последний раз поставщика входа: в рамках 13 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

вафля 3инч сик, субстраты кремниевого карбида особой чистоты 4Х, субстраты особой чистоты 4инч СиК, субстраты для полупроводника, субстраты кремниевого карбида 4инч 4инч СиК, субстраты для семкондуктор, вафли кремниевого карбида сик одиночные кристаллические, слитки сик для самоцвета


Зоны применения


1 диод Шотткы электронных устройств частоты коротковолнового диапазона и наивысшей мощности, ДЖФЭТ, БДЖТ, ПиН, диоды, ИГБТ, МОСФЭТ


2 электронно-оптических прибора: главным образом использованный в СИД материала субстрата СИД ГаН/СиК голубом (ГаН/СиК)


адвантагемент

• Низкое рассогласование решетки
• Высокая термальная проводимость
• Потребление низкой мощности
• Превосходные переходные характеристики
• Высокий зазор диапазона


Карборунд вафли субстрата СиК кремниевого карбида кристаллический

СВОЙСТВА КРЕМНИЕВОГО КАРБИДА МАТЕРИАЛЬНЫЕ


Свойство4Х-СиК, одиночное Кристл6Х-СиК, одиночное Кристл
Параметры решеткиа=3.076 Å к=10.053 Åа=3.073 Å к=15.117 Å
Штабелировать последовательностьАБКБАБКАКБ
Твердость Мохс≈9.2≈9.2
Плотность3,21 г/км33,21 г/км3
Тхэрм. Коэффициент расширения4-5×10-6/К4-5×10-6/К
Индекс @750нм рефракции

отсутствие = 2,61

не = 2,66

отсутствие = 2,60

не = 2,65

Диэлектрическая константак~9.66к~9.66
ohm.cm термальной проводимости (Н типа, 0,02)

а~4.2 В/км·K@298K

к~3.7 В/км·K@298K

Термальная проводимость (Полу-изолировать)

а~4.9 В/км·K@298K

к~3.9 В/км·K@298K

а~4.6 В/км·K@298K

к~3.2 В/км·K@298K

Диапазон-зазореВ 3,23еВ 3,02
Поле нервного расстройства электрическое3-5×106В/км3-5×106В/км
Дрейфовая скорость сатурации2.0×105м/с2.0×105м/с

2. размер субстратов стандарта


спецификации субстрата кремниевого карбида 3 дюймов диаметра 4Х
СВОЙСТВО СУБСТРАТАУльтра рангРанг продукцииРанг исследованияФиктивная ранг
Диаметр76,2 мм ±0.38 мм
Поверхностная ориентацияна-ось: ± 0.2° {0001}; внеосевой: 4°товард <11-20> ± 0.5°
Основная плоская ориентация<11-20> ̊ ± 5,0
Вторичная плоская ориентация90,0 ̊ КВ от основного ̊ ± 5,0, кремния лицевого
Основная плоская длина22,0 мм ± 2,0 мм
Вторичная плоская длина11,0 мм ± 1.5мм
Край вафлиЧамфер
Плотность Микропипекм2 ≤1 микропипес/км2 ≤5 микропипес/км2 ≤10 микропипес/км2 ≤50 микропипес/
Зоны Полытыпе светом высоко-интенсивностиНикакие позволилизона ≤10%
Резистивность0,015 Ω·км~0.028 Ω·см(зона 75%) 0.015Ω·км~0.028 Ω·см
Толщина350,0 μм μм ± 25,0 μм или 500,0 ± 25,0 μм
ТТВμм ≤10μм ≤15
Смычок (абсолютная величина)μм ≤15μм ≤25
Искривлениеμм ≤35

3.сампле


вопросы и ответы:

К: Что путь условия доставки и цены и оплаты?

А: (1) мы аксепт100% Т/Т заранее ДХЛ, Федерал Экспресс, ЭМС етк.

(2) если вы имеете ваш собственный срочный кчет, то оно большие. Если не, мы смогли помочь вам грузить их.

Перевозка в соответствии с фактическим поселением.


К: Что ваше МОК?

А: (1) для инвентаря, МОК 2пкс.

(2) для подгонянных продуктов, МОК 25пкс вверх.


К: Могу я подгонять продукты основанные на моей потребности?

А: Да, мы можем подгонять материал, спецификации и форму, размер основанный на ваших потребностях.


К: Что срок поставки?

А: (1) для стандартных продуктов

Для инвентаря: доставка 5 трудодней после того как вы делаете заказ заказ.

Для подгонянных продуктов: доставка 2 или 3 недели после того как вы делаете заказ заказ.

(2) для в форме особенн продуктов, доставка 4 рабочей недели после того как вы делаете заказ заказ.


China Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные supplier

Вафля кремниевого карбида 3 дюймов, характеристики субстрата Сик превосходные переходные

Запрос Корзина 0