китай категории
Русский язык

Низшего напряжения Мбит обломока 8 М25ПЭ80-ВМН6ТП флэш-память электронного ИК Страниц-стираемая серийная

Номер модели:M25PE80-VMN6TP
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20 шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:10000 ПК
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

М25ПЭ80

8 Мбит, низшее напряжение, Страниц-стираемая серийная флэш-память с альтерабилиты байта, 50 автобусом МХз СПИ, стандартным пиноут

 

Особенности

Последовательный интерфейс автобуса ■ СПИ совместимый

флэш-память ■ 8-Мбит Страниц-стираемая

Размер страницы ■: 256 байт

  – Страница пишет в госпоже 11 (типичной)

  – Программа страницы в 0,8 госпожах (типичных)

  – Стирание страницы в госпоже 10 (типичной)

Стирание подсектора ■ (4 кбайта)

Стирание участка ■ (64 кбайта)

Стирание большей части ■ (8 Мбиц)

 

■ 2,7 в к 3,6 в определяет подачу напряжения

■ ход часов 50 МХз (максимум)

ΜА режима 1 силы-вниз ■ глубокое (типичное)

Подпись ■ электронная

  – Подпись ДЖЭДЭК стандартная двубайтовая (8014х)

Программное обеспечение ■ пишет защиту на основание участка 64 кбайтов

Оборудование ■ пишет защиту области памяти выбранной используя биты БП0, БП1 и БП2

■ больше чем 100 000 пишет циклы

■ удерживание больше чем 20 данным по года

Пакеты ■ – ЭКОПАКК® (РоХС уступчивое)

 

 

Описание

М25ПЭ80 8 Мбит (1 флэш-память × Мб 8) вызванная сериалом получать доступ к высокоскоростным СПИ-совместимым автобусом.

 

Памяти можно написать или запрограммированные 1 до 256 байт одновременно, используя страницу напишите или вызовите инструктирование по программе. Страница пишет инструкцию состоит из интегрированного цикла стирания страницы следовать циклом программы страницы.

 

Память организована как 16 участков которые более добавочно разделены вверх в 16 подсекторов каждое (256 подсекторов в итоге). Каждый участок содержит 256 страниц и каждый подсектор содержит 16 страниц. Каждая страница 256 байт широко. Таким образом, всю память можно осмотреть как состоять из 4096 страниц, или 1 048 576 байт

 

Память можно стереть страницу одновременно, используя инструкцию стирания страницы, подсектор одновременно, используя инструкцию стирания подсектора, участок одновременно, используя инструкцию стирания участка, или в целом, используя оптовую инструкцию стирания.

 

Память может быть защищена от записи или оборудованием или программным обеспечением используя смешивание испаряющих и слаболетучих особенностей защиты, в зависимости от потребностей применения. Степень детализации защиты 64 кбайтов (степени детализации участка).

 

Для того чтобы соотвествовать экологические, СТ предлагает М25ПЭ80 в пакетах ЭКОПАКК®. Пакеты ЭКОПАКК® неэтилированный и РоХС уступчивые.

 

Абсолютный максимум оценок

СимволПараметрМинутаМаксБлок
ТСТГТемпература хранения– 65150°К
РУКОВОДСТВО ТТемпература руководства во время паять См. (1) 
ВИОНапряжение тока входа и выхода (по отношению к земле)– 0,6ВКК + 0,6В
ВККПодача напряжения– 0,64,0В
ВЭСДЭлектростатическое разрядное напряжение (модель человеческого тела) (2)– 20002000В

1. Уступчивый с ДЖЭДЭК Стд ДЖ-СТД-020К (для небольших тела, собрания СнПб или Пб), спецификацией СТ ЭКОПАКК® 7191395, и европейской директивой на ограничениях на опасных веществах (RoHS) 2002/95/ЭУ.

2. ДЖЭДЭК Стд ДЖЭСД22-А114А (К1 = 100 пФ, Р1 = Ω 1500, Р2 = Ω 500).

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет
МБМ29ЛВ004ТК-90ПТН696ФУДЖИТСУ ЛИМИТЭДНОВЫЙТСОП
ДС90К383АМТДС688НСНОВЫЙССОП
ВН05НСП688СТНОВЫЙСОП10
МДМ9225М-ОВВ684КУАЛКОММНОВЫЙБГА
К4Т56163КИ-ЗКФ7682САМСУНГНОВЫЙБГА
АР5210Б-00680АТХЭРОСНОВЫЙБГА
ИКС8752КИЛФТ680ИКСНОВЫЙКФП
РЭГ710НА-5/3К670ТИНОВЫЙСОТ23-6
ФЛИ2200660ПРОИСХОЖДЕНИЕНОВЫЙКФП
Т8Ф09ТБ-0001652ТОШИБАНОВЫЙБГА
С71ВС256НДОБ648СПАНСИОНОВЫЙБГА
МАС3243ЭКРХБР646ТИНОВЫЙКФН
АК4384ЭТ-Э2639АКМНОВЫЙТССОП
МСМ8994-БВВ639КУАЛКОММНОВЫЙБГА
БК4847МТ636БЭНКХМАРКНОВЫЙДИП24
АМК2576-5.0ДДФТ630АДДТЭКНОВЫЙТО-263
АМ29ЛВ128МЛ-123РЭИ625АМДНОВЫЙТССОП
ДГ413ДИ622ВИСХАИНОВЫЙСОП16
ИМП560ЭСА611ИМПНОВЫЙСОП8
СТА50513ТР-ЛФ600СТНОВЫЙССОП
М29В128ГХ70Н6Э596СТНОВЫЙТСОП
ИС42С16800Д587ИССНОВЫЙТССОП
СКФ32ПФСГ48К573СИЛИНСНОВЫЙБГА
С29ГЛ256П11ТФИ020Д569СПАНСИОННОВЫЙТСОП-56
ЛМ4808МС567НСКНОВЫЙСОП8
ПИ49ФКТ3805ДКЭ567ПЭРИКОНОВЫЙССОП
СИ7450ДП-Т1-Э3559ВИСХАИНОВЫЙСО-8
ПАД50557ВИСХАИНОВЫЙТО-18
СТ20184КА-И1540СТНОВЫЙКФП
ИРФ7313ТРПБФ532ИнфракраснНОВЫЙСОП-8

 

 

 

 

China Низшего напряжения Мбит обломока 8 М25ПЭ80-ВМН6ТП флэш-память электронного ИК Страниц-стираемая серийная supplier

Низшего напряжения Мбит обломока 8 М25ПЭ80-ВМН6ТП флэш-память электронного ИК Страниц-стираемая серийная

Запрос Корзина 0