китай категории
Русский язык

ТАС5614ЛАДДВР программируя ИК откалывают память программы обломока интегральной схемаы

Номер модели:TAS5614LADDVR
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:2000pcs
Термины компенсации:T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:74000ПКС
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

150-В этап силы класса-Д Цифров-входного сигнала стерео/300-В Моно ПуреПатх™ ХД

 

Особенности

• Обратная связь ПуреПатх™ интегрированная ХД обеспечивает:

– 0,03% ТХД на 1 в в Ω 4

– >65 дБ ПСРР (отсутствие входного сигнала)

– дБ >105 (утяжеленное а) СНР

• Пре-клиппирование выведенное наружу для контроля электропитания класса-Г

• Уменьшенный размер теплоотвода должный к пользе 60мΩ

   МОСФЭТ выхода с эффективностью >90% на вполне

   Сила выхода

• Сила выхода на 10%ТХД+Н

– 150 с 4 конфигурацией стерео Ω БТЛ

– 300 с 2 Ω в конфигурации ПБТЛ Моно 

• Сила выхода на 1%ТХД+Н

– 125 с 4 конфигурацией стерео Ω БТЛ

– 65 с 8 конфигурацией стерео Ω БТЛ

 

ПРИМЕНЕНИЯ

• Приемники Блу-рай™/ДВД

• Адвокатуры наивысшей мощности ядровые

• Приведенный в действие сабвуфер и активные дикторы

• Мини комбинированные системы

 

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (1)
ВДД к ГНД, ГВДД_С (2) к ГНД – 0,3 до 13,2 в
ПВДД_С (2) к ГНД (3), ОУТ_С к ГНД (3), БСТ_С к ГВДД_С (2) (3) до 0,3 до 50 в
БСТ_С к ГНД (3) (4) до 0,3 до 62,5 в
ДВДД к ГНД – 0,3 до 4,2 в
АВДД к ГНД – 0,3 до 8,5 в
ОК_АДДЖ, М1, М2, М3, К_СТАРТ, ИНПУТ_С к ГНД – 0,3 до 4,2 в
ВОЗВРАТ, НЕДОСТАТОК, ОТВ, ЗАЖИМ, к ГНД – 0,3 до 4,2 в
Максимальное непрерывное течение раковины (НЕДОСТАТОК, ОТВ, ЗАЖИМ) 9 мам
Диапазон температур соединения максимума работая, ТДЖ 0 до °К 150
Температура хранения, Цтг – 40 до 150 °К температуры 260 руководства °К
Модель человеческого тела (4) (все штыри) ±2 кВ
Модель прибора электростатической разрядки порученная (4) (все штыри) ±500 в

 
ЧАСТЬ ЗАПАСА

К.И ТПС5450ДДАРИНДУТОР. 100УХ СЛФ7045Т-101МР50-ПФ
К.И ТПС61041ДБВРАКОПЛАДОР ОТИКО. МОК3021С-ТА1
C.I . АС4К16М16СА-7ТКНК.И Л7805КП
К.И 74ХК245ДБ, 118К.И Л6205ПД
К.И БК24630РГЭТК.И ТПС40061ПВПР
КИ 74ХК240ДКРЫШКА 0805 10НФ 16В К0805К103М4РАК
КИ ЛХ1501БТК.И ИКЛ7660КБАЗ
КИ ЛМ5574МТК.И ЛМ2576СС-5.0
КИ ЛХ1501БАБК.И ГЛ852Г-МНГ
К.И СН74ХК14ДРДИОДО УСБЛК6-2П6
КРЫШКА 1210 22УФ 25В С5Р 10% 12103Д226КАТ2АФУСИВЭЛ НАНОСМДК050Ф/13.2-2
ДИОДО СЛ44-Э3/57ТКИ МКП602-Э/СН
КРЫШКА 0603 1УФ, 25В, С5Р, 20% 06033Д105МАТ2АТРАНС МДЖД122Т4Г
ДИОДО СТТХ802Б-ТРКРЫШКА 4,7УФ 10В С5Р 10% КЛ21А475КПФНННЭ
ДИОДО СМП100ЛК-140КРЫШКА КЛ21Б105КОФНННЭ 1УФ
ТРАНС ФКБ7Н60ТМК.И ССТ25ВФ016Б-50-4И-С2АФ
ДИОДО ХФА08ТБ60ПБФАКОПЛАДОР ОТИКО. КНИ17-3
КИ ЛХ1500ААБКРЫШКА 0805 100НФ 16В К0805К104М4РАК
ТРАНС. СИ7846ДП-Т1-Э3ДИОДО МБРС2040ЛТ3
КРЫШКА КЭР 10УФ 16В С5Р 0805ИД106КАТ2АКРЫШКА ТАНТАЛО 22УФ 16В 10% ТАДЖБ226К016РНДЖ
МКП130Т-315И/ТТКРЫШКА 0805 10УФ 6,3В С5Р ДЖМК212БДЖ106КД-Т
К.И СН74ЛС244НКРЫШКА 0805 4,7УФ 6,3В С5Р К0805К475М9ПАКТУ
ТРИАК БТ137-600ЭБК848Б, 215
КТИ11-6 К62705-К246К.И ЛМ2936З-5,0
Не 53аб6з-5
К.И П8255А5КИ ЛМ393ДР
ПХОТОСЭНСОР 2СС52МТРАНС МДЖФ122Г
К.И КД14538БЭОПТОАКОПЛАДОР СФХ6206-2Т
РЭС 1206 0Р82 1% РЛ1206ФР-070Р82ЛОПТОАКОПЛАДОР МОК3061СМ
РЭС 1206 1Р5 1% РК1206ФР-071Р5ЛДИОДО 1Н4007
РЭС 1206 0Р68 1% РЛ1206ФР-070Р68Л

БК848Б, 215

 

China ТАС5614ЛАДДВР программируя ИК откалывают память программы обломока интегральной схемаы supplier

ТАС5614ЛАДДВР программируя ИК откалывают память программы обломока интегральной схемаы

Запрос Корзина 0