китай категории
Русский язык

Транзистор двойной транзистор влияния поля н Мосфет силы НДС9952А & П-канала

Номер модели:NDS9952A
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:9200пкс
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

НДС9952А

Двойной транзистор влияния поля режима повышения н & П-канала

 

Общее описание

 

Этот двойные транзисторы Н- и влияния поля силы режима повышения П-канала произведены используя Фэйрчайлда собственнический, высокую плотность клеток, технологию ДМОС. Этот очень хигх-денситы процесс особенно портняжничан для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства, обеспечить главное представление переключения, и выдержать ИМПы ульс высокой энергии в режимах лавины и коммутирования. Эти приборы особенно одеты для применений низшего напряжения как управление силы ноутбука и другие цепи батареи использующие энергию где быстрое переключение, низкие встроенные потери электропитания, и сопротивление к переходным процессам необходимы.

 

Особенности

  • Н-канал 3.7А, 30В, РДС(ДАЛЬШЕ) =0.08В @ ВГС =10В.
  • П-канал -2.9А, -30В, РДС(ДАЛЬШЕ) =0.13В @ ВГС =-10В.
  • Хигх-денситы дизайн клетки или весьма - низкий рДС(ДАЛЬШЕ).
  • Наивысшая мощность и настоящая регулируя возможность в широко используемом поверхностном пакете держателя.
  • Удваивает (н & П-канал) МОСФЭТ в поверхностном пакете держателя.

 

Абсолютный максимум оценок Та = 25°К если не указано иное

СимволПараметрН-каналП-каналБлоки
ВДССНапряжение тока Сток-источника30-30В
ВГССНапряжение тока Ворот-источника± 20± 20В
ИД

Течение стока - непрерывное (примечание 1а)

- Пульсированный

± 3,7± 2,9А
± 15± 150
ПДДиссипация силы для двойной деятельности2В

Диссипация силы для единственной операции (примечания 1а)

(Примечание 1Б)

(Примечание 1к)

1,6
1
0,9 
ТДж, ТСТГОператинг и диапазон температур хранения-55 до 150°К

Примечания: 1. рθДжА сумма соединени-к-случая и случа-к-окружающего термального сопротивления где определена ссылка случая термальная по мере того как поверхность установки припоя штырей стока. РθДжК гарантирован дизайн покаθКА р определено дизайном доски потребителя.

Типичный рθДжА для одиночной деятельности прибора используя планы доски показанные ниже на 4,5"» ПКБ ФР-4 кс5 в неподвижной окружающей среде воздуха:

a. 78℃/В устанавливанный на 0,5 в пусковой площадке2 кппер 2оз.

b. 125℃/В устанавливанный на 0,02 в пусковой площадке2 кппер 2оз.

c. 135℃/В устанавливанный на 0,003 в пусковой площадке2 кппер 2оз.

Масштаб 1: 1 на бумаге размера письма

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет
ЛТК4301КМС84300ЛИНЕЙНЫЙ16+МСОП-8
ЛТК4311ИСК63092ЛТ15+СК70
ЛТК4357КМС8#ПБФ3990ЛИНЕЙНЫЙ16+МСОП-8
ЛТК4365КТС84339ЛИНЕЙНЫЙ16+СОТ-23
ЛТК4365КТС8#ТРПБФ4310ЛИНЕЙНЫЙ15+СОТ23-6
ЛТК4425ЭМСЭ#ТРПБФ2954ЛИНЕЙНЫЙ16+МСОП-12
ЛТК6903КМС8#ПБФ6610ЛТ14+МСОП-8
ЛТК6903ИМС8#ПБФ5190ЛТ11+МСОП-8
ЛТК6908ИС6-13669ЛТ16+СОТ23-6
ЛТК6930КМС8-4.19#ПБФ6620ЛТ16+МСОП-8
ЛТМ8045ИИ#ПБФ2038ЛИНЕЙНЫЙ12+БГА40
ЛТСТ-К150КСКТ12000ЛИТЭОН13+СМД
ЛТСТ-К170КГКТ9000ЛИТЭОН15+СИД
ЛТСТ-К171КРКТ9000ЛИТЭОН16+СМД
ЛТСТ-К190КГКТ9000ЛИТЭОН15+СМД0603
ЛТСТ-К191КГКТ12000ЛИТЭОН16+СМД
ЛТСТ-К193КРКТ-5А21000ЛИТЭОН15+СМД
ЛТСТ-С220КРКТ116000ЛИТЭ-ОН16+СИД
ЛТВ354Т18000ЛИТЭОН14+СОП-4
ЛТВ-356Т119000ЛИТЭОН14+СМД-4
ЛТВ356Т-Д47000ЛИТЭОН14+СОП-4
ЛТВ4Н2572000ЛИТЭОН16+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛТВ817К12000ЛИТЭОН14+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛТВ-817С-ТА1-А56000ЛИТЭ-ОН13+СМД-4
ЛТВ82762000ЛИТЭОН16+ДИП-8
ЛТВ847С19474ЛИТЭОН13+СОП-16
ЛС6503ИДВ9119МСК09+СОП-16
ЛСТ6234КЭ БО4013ИНТЭЛ16+КФП100
ЛСТ980АХК740ИНТЭЛ13+КФП208
М13С2561616А-5Т9090ЭСМТ14+ТССОП

 

 

 

 

China Транзистор двойной транзистор влияния поля н Мосфет силы НДС9952А & П-канала supplier

Транзистор двойной транзистор влияния поля н Мосфет силы НДС9952А & П-канала

Запрос Корзина 0