китай категории
Русский язык

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

Номер модели:FDS6990A
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:7000PCS
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

 

Общее описание

Эти МОСФЭЦ уровня логики Н-канала произведены используя процесс ПоверТренч полупроводника Фэйрчайлда выдвинутый который особенно был портняжничан для того чтобы уменьшить сопротивление на-государства а также поддерживать главное представление переключения.

 

Эти приборы хорошо подойдут для низшего напряжения и применений батареи использующих энергию где необходимы низкие встроенные потери электропитания и быстрое переключение.

 

Особенности

· 7,5 а, 30 В. РДС(ДАЛЬШЕ) = 18 мВ @ вГС = 10 в

                        РДС(ДАЛЬШЕ) = 23 мВ @ вГС = 4,5 в

· Быстрая скорость переключения

· Низкая обязанность ворот

· Технология канавы высокой эффективности для весьма - низкого рДС(ДАЛЬШЕ)

· Наивысшая мощность и настоящая регулируя возможность

 

Абсолютный максимум оценок Та =25℃ если не указано иное

СимволПараметрОценкиБлоки
ВДССНапряжение тока Сток-источника30В
ВГССНапряжение тока Ворот-источника± 20В
ИД

Течение стока – непрерывное (примечание 1а)

– Пульсированный

7,5А
20
ПД

Диссипация силы для единственной операции (примечания 1а)

                                                               (Примечание 1Б)

                                                               (Примечание 1к)

1,6В
1,0
0,9
ТДж, ТСТГОператинг и диапазон температур соединения хранения– 55 до +150

 

 

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет

 

Г5В-1-ДК96255ОМРОН15+ПОГРУЖЕНИЕ
Г5В-2-12ВДК7727ОМРОН14+ПОГРУЖЕНИЕ
Г60Н100БНТД3498ФЭЙРЧАЙЛД13+ТО-264
Г65СК51П-26939КМД16+ДИП-28
Г6К-2Ф-И-5ВДК10509ОМРОН13+СОП-8
ГАЛ16В8Д-25ЛП5311РЕШЕТКА16+ДИП-20
ГБЛ08-Э3/5113704ВИСХАИ14+ДИП-4
ГБПК3508В-Э4/518669ВИСХАИ16+ДИП-4
ГБУ40890000СЕНТЯБРЬ13+ЗИП-4
ГБУ6К14556ЛРК13+СИП-4
ГБУ8М17593ВИСХАИ15+ДИП-4
ГЭ865-КУАД1285ТЭЛИТ14+ГПРС
ГИПС20К602254СТ13+МОДУЛЬ
ГЛ34А4000ДИОТЭК13+ДО-213АА
ГЛ41Д20000ГС13+ЛЛ41
ГЛ852Г-МНГ127574ГЭНЭСИС15+ЛКФП-48
ГЛ865 УДВАИВАЮТ1174ТЭЛИТ10+ГПРС
ГЛЛ4760-Э3/9724000ВИСХАИ10+НА
ГП1С094ХКЗ0Ф5752ОСТРЫЙ13+ДИП-4
ГС2978-КНЭ32125ГЭННУМ15+КФН16
ГС2984-ИНЭ31336ГЭННУМ13+КФН
ГС2988-ИНЭ36693ГЭННУМ16+КФН16
ГС3137-08-ТАЗ2008КОНЭСАНТ09+ТССОП
ГСИБ2580-Э3/454938ВИСХАИ16+ГСИБ-5С
ГСОТ03К-ГС087000ВИСХАИ15+СОТ-23
ГВА-63+8824МИНИ15+СОТ-23
ГВА-84+4397МИНИ14+СОТ-89
Х11АА1СР2М14966ФЭЙРЧАЙЛД14+СОП-6
Х11АА415037ФЭЙРЧАЙЛД14+ПОГРУЖЕНИЕ
Х11АГ1СР2М4006ФЭЙРЧАЙЛД14+СОП-6

 

 

 

China МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной supplier

МОСФЭТ ПоверТренч логики канала н транзистора Мосфет силы ФДС6990А двойной

Запрос Корзина 0