китай категории
Русский язык

Транзистор транзистора НПН/НПН низкий ВКЭсат Мосфет силы ПБСС4112ПАН (БИСС)

Номер модели:ПБСС4112ПАН
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:7900пкс
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

ПБСС4112ПАН

120 в, 1 транзистор а НПН/НПН низкий ВКЭсат (БИСС)

 

Общее описание

Прорыв НПН/НПН низкий вКЭсат в небольшом транзисторе (BISS) сигнала в леадлесс средней силе ДФН2020-6 (СОТ1118) Поверхност-установил пакет пластмассы (SMD) прибора. Комплект НПН/ПНП: ПБСС4112ПАНП. Комплект ПНП/ПНП: ПБСС5112ПАП.

 

Особенности и преимущества

• Очень низкое напряжение тока сатурации в коллектор- эмиттераКЭсат

• Высокая возможность ик течения сборника иСМ И

• ВысокийФЭ х настоящего увеличения сборника на максимуме ик

• Уменьшенные требования к (PCB) платы с печатным монтажом

• Эффективность высокой энергии должная к меньше тепловыделения

• Квалифицированное АЭК-К101

 

Применения

• Переключатель нагрузки

• управляемые Батаре приборы

• Управление силы

• Зарядные схемы

• Переключатели мощности (например моторы, вентиляторы)

 

Ограничивающие величины

В соответствии с абсолютным максимумом системы рейтинга (ИЭК 60134).

СимволПараметрУсловия МинутаМаксБлок
  В транзистор
ВКБОнапряжение тока коллектора- базараскройте излучатель -120В
ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОРнапряжение тока коллектор- эмиттерараскройте основание -120В
ВЭБОнапряжение тока излучател-основанияраскройте сборник -7В
ИКтечение сборника  -1А
ИСМпиковое течение сборникаодиночный ИМП ульс; госпожа ≤ 1 тп -1,5А
ИБток базы  -0,3А
ИБМпиковый ток базыодиночный ИМП ульс; госпожа ≤ 1 тп -1А
Младенец пдиссипация полной силы°К ≤ 25 Тамб

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

-

-

-

-

-

-

-

-

370

570

530

700

450

760

700

1450

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

  В прибор
Младенец пдиссипация полной силы°К ≤ 25 Тамб

[1]

[2]

[3]

[4]

[5]

[6]

[7]

[8]

-

-

-

-

-

-

-

-

510

780

730

960

620

1040

960

2000

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

мВ

Тджтемпература соединения  -150°К
Тамбтемпература окружающей среды  -55150°К
Цтгтемпература хранения  -65150°К

[1] прибор установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону следах ноги линии прокладки 35 µм медных, полуженных и стандартных.

прибор установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону полуженная линия [2] прокладки 35 µм медная, пусковая площадка установки на сборник 1 км2.

прибор [3] установленный на 4 следе ноги линии прокладки µм ПКБ 35 слоя медном, полуженного и стандартного.

прибор [4] установленный на 4 полуженной линии прокладки µм ПКБ 35 слоя медной, пусковой площадке установки на сборник 1 км2.

прибор [5] установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону следах ноги линии прокладки 70 µм медных, полуженных и стандартных.

прибор установленный на ПКБ ФР4, который одно-встали на сторону полуженная линия [6] прокладки 70 µм медная, пусковая площадка установки на сборник 1 км2.

прибор [7] установленный на 4 следе ноги линии прокладки µм ПКБ 70 слоя медном, полуженного и стандартного.

прибор [8] установленный на 4 полуженной линии прокладки µм ПКБ 70 слоя медной, пусковой площадке установки на сборник 1 км2.

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет

 

СГМ8922АИС85140СГМ10+СОП-8
СГМ9119ИС817690СГМИКРО16+СОП-8
СЛГ505ИК256КТ2330СИЛЭГО14+СОП-8
СИ4416ДИ-Т1-Э317708СИЛИКОНИС05+СОП-8
СП3072ЭЭН-Л/ТР38004СИПЭС13+СОП-8
СП485РКН-Л14724СИПЭС13+СОП-8
СП485РЭН-Л46500СИПЭС16+СОП-8
СП708СЭН8240СИПЭС16+СОП-8
СМ7523Б47500СМ16+СОП-8
С25ФЛ040А0ЛВФИ003Р38856СПАНСИОН16+СОП-8
С25ФЛ164К0СМФИ01129532СПАНСИОН15+СОП-8
ССТ25ЛФ020А-33-4К-САЭ39140ССТ12+СОП-8
ССТ25ВФ016Б-50-4К-С2АФ7084ССТ14+СОП-8
ССТ25ВФ016Б-50-4И-С2АФ12564ССТ14+СОП-8
ССТ25ВФ020-20-4И-САЭ8532ССТ11+СОП-8
ССТ25ВФ032Б-80-4И-С2АФ10142ССТ16+СОП-8
ССТ25ВФ080Б-50-4К-С2АФ19348ССТ10+СОП-8
ССТ25ВФ080Б-80-4И-С2АФ12578ССТ16+СОП-8
ССРП130Б139992СТ13+СОП-8
СТ1С10ПХР5256СТ16+СОП-8
СТ3485ЭБДР14900СТ10+СОП-8
СТ485ЭБДР31000СТ16+СОП-8
СТ922И40276СТ16+СОП-8
СТМ704СМ6Ф6004СТ16+СОП-8
СТС8ДНФ3ЛЛ14592СТ04+СОП-8
СТС8ДНХ3ЛЛ17320СТ10+СОП-8
ТДА2822Д013ТР17298СТ09+СОП-8
ТДЖМ4558КДТ111000СТ16+СОП-8
ТЛ061КДР15170СТ16+СОП-8
ТЛ072КДР17186СТ16+СОП-8

 

 

 

 

China Транзистор транзистора НПН/НПН низкий ВКЭсат Мосфет силы ПБСС4112ПАН (БИСС) supplier

Транзистор транзистора НПН/НПН низкий ВКЭсат Мосфет силы ПБСС4112ПАН (БИСС)

Запрос Корзина 0