китай категории
Русский язык

Транзистор полупроводника компонентов электроники ИС61ЛВ25616АЛ -10ТЛИ

Номер модели:IS61LV25616AL-10TLI
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:7300пкс
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

ИС61ЛВ25616АЛ

РАМ 256К кс 16 ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ АСИНХРОННЫЙ КМОС СТАТИЧЕСКИЙ С ПОСТАВКОЙ 3.3В

 

 

ОСОБЕННОСТИ

• Высокоскоростное время выборки:

  — 10, 12 нс

• Деятельность низкой мощности КМОС

• Низкий уровень стойк- силой:

  — Меньше чем 5 мам (тип.) КМОС стойк-

 

• Уровни интерфейса ТТЛ совместимые

• Одиночное электропитание 3.3В

• Полностью статическая деятельность: никакие часы или не освежают необходимое

• 3 государственных выхода

 

• Контроль данных для верхних и более низких байт

• Промышленная температура доступная

• Неэтилированное доступное

 

ОПИСАНИЕ

ИССИ ИС61ЛВ25616АЛ высокоскоростное, РАМ 4 194 304 битов статический организованный как 262 144 слова 16 битами. Оно изготовлен используя технологию КМОС ИССИ высокопроизводительную. Этот сильно надежный процесс соединенный с новаторскими методами расчета цепи, приборами расхода энергии андлов выходов высокопроизводительными.

 

Когда КЭ ВЫСОК (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз с уровнями входного сигнала КМОС.

 

Легкое расширение памяти обеспечено путем использование обломока позволяет и вывести наружу включите входные сигналы, КЭ и ОЭ. Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ пишет включает сочинительство управлениями (WE) и и чтение памяти. Байт данных позволяет верхнему байту (UB) и более низкому доступу (LB) байта.

 

ИС61ЛВ25616АЛ упаковано в штыре стандарта 44 ДЖЭДЭК СОДЖ 400 мил, 44 тип ИИ штыря ТСОП, 44 штырь ЛКФП и 48 прикалывают мини БГА (8мм кс 10мм).

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК(1)

СимволПараметрЗначениеБлок
ВтермТерминальное напряжение тока по отношению к ГНД– 0,5 к Вдд+0.5В
ЦтгТемпература хранения– 65 до +150°К
ПтДиссипация силы1,0В

Примечание: 1. стресс более большой чем те перечисленные под АБСОЛЮТНЫМ МАКСИМУМОМ ОЦЕНОК может причинить постоянное повреждение к прибору. Это стресс классифицируя только и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий над теми показанными в рабочих разделах этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму условий оценки на выдвинутые периоды может повлиять на надежность.

 

РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН

  ВДД
РядТемпература окружающей среды10нс12нс
Коммерчески0°К к +70°К3.3В +10%, -5%3.3В + 10%
Промышленный– 40°К к +85°К3.3В +10%, -5%3.3В + 10%

 

ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ БЛОК-СХЕМА

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет
Х11Г1СР2М3977ФЭЙРЧАЙЛД10+СОП-6
Х11Л1СР2М14256ФЭЙРЧАЙЛД16+СОП
Х1260НЛ10280ИМП УЛЬС15+СМД
ХА173243948РЭНЭСАС14+ДИП-14
ХА17324АРПЭЛ-Э-К7361РЭНЭСАС15+СОП-14
ХКФ4051БЭИ3919СТ16+ПОГРУЖЕНИЕ
ХКФ4052М013ТР7598СТ13+СОП-16
ХКФ4060БЭ18658СТ14+ПОГРУЖЕНИЕ
ХКНР2006587АВАГО15+ДИПСОП
ХКНР200-000Э7432АВАГО15+ПОГРУЖЕНИЕ
ХКНВ2611-000Э5720АВАГО16+ДИП-8
ХКНВ45026210АВАГО13+СОП
ХКПЛ-04663551АВАГО15+СОП-8
ХКПЛ-063015108АВАГО16+СОП-8
ХКПЛ-06395791ФЭЙРЧАЙЛД13+СОП-8
ХКПЛ-181-000Э9000АВАГО16+СОП-4
ХКПЛ-26028795АВАГО16+СОП-8
ХКПЛ2630СД2204ФСК16+СОП
ХКПЛ-273115179АВАГО13+ДИПСОП
ХКПЛ-31209870АВАГО15+ДИПСОП
ХКПЛ-316ДЖ13751АВАГО12+СОП-18
ХКПЛ-450421001АВАГО16+ДИПСОП
ХКПЛ-450612623АВАГО14+ДИП-8
ХКПЛ-7840-500Э5971АВАГО15+СОП
ХКПЛ-786ДЖ13822АВАГО16+СОП-16
ХД06-Т54000ДИОДЫ15+СМД
ХД64Ф3687ФПВ3168РЭНЭСАС14+ТКФП-64
ХД74ЛС00П8647РЭНЭСАС16+ДИП-14
ХД74ЛС04П8718РЭНЭСАС13+ДИП-14
ХД74ЛС125П8931РЭНЭСАС15+ПОГРУЖЕНИЕ

 

 

 

 

China Транзистор полупроводника компонентов электроники ИС61ЛВ25616АЛ -10ТЛИ supplier

Транзистор полупроводника компонентов электроники ИС61ЛВ25616АЛ -10ТЛИ

Запрос Корзина 0