китай категории
Русский язык

ФМ25В02-Г электронный ИК откалывает 256Кб память сериала 3В Ф-РАМ

Номер модели:FM25V02-G
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:7600пкс
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

ФМ25В02

256Кб память сериала 3В Ф-РАМ

 

Особенности

РАМ бита 256К Ферроелектрик слаболетучий

  • Организованный как 32 768 кс 8 битов
  • Высокая выносливость 100 прочитанный триллион (1014)/пишет
  • Удерживание 10 данным по года
  • НоДелай™ пишет
  • Процесс предварительной Высоко-надежности Ферроелектрик

Очень быстрый серийный периферийный интерфейс - СПИ

  • До 40 МХз частоты
  • Сразу замена оборудования для серийной вспышки
  • Режим 0 & 3 СПИ (КПОЛ, КПХА=0,0 & 1,1)

Напишите схему защиты

  • Предохранение от оборудования
  • Предохранение от программного обеспечения

ИД и серийный номер прибора

  • ИД прибора читает вне ИД изготовителя & ИД части
  • Уникальный серийный номер (ФМ25ВН02)

Низшее напряжение, низкая мощность

  • Деятельность 2.0В низшего напряжения – 3.6В
  • течение 90 μА резервное (тип.)
  • течение режима сна 5 μА (тип.)

Конфигурации индустриального стандарта

  • Промышленная температура -40℃ к +85℃
  • пакет/РоХС СОИК «зеленого цвета 8-пин»
  • пакет/РоХС ТДФН «зеленого цвета 8-пин»

 

Описание

ФМ25В02 энергонезависимая память 256 килобитов используя предварительный ферроелектрик процесс. Ферроелектрик оперативное запоминающее устройство или Ф-РАМ слаболетучи и выполняют читают и пишут как РАМ. Он обеспечивает удерживание достоверных данных на 10 лет пока исключающ сложности, накладные расходы, и проблемы надежности системного уровня причиненные серийными внезапными и другими энергонезависимыми памятями.

 

Не похож на серийную вспышку, ФМ25В02 выполняет пишет деятельность на скорости автобуса. Никакой напишите задержки произведите. Данные написаны в массив памяти немедленно после они были возвращены к прибору. Следующий цикл автобуса может начать без потребности для полинга данных. Продукт предлагает очень высоко пишет выносливость, порядки величины больше выносливости чем серийная вспышка. Также, Ф-РАМ показывает более низкий расход энергии чем серийная вспышка.

 

Эти возможности делают идеал ФМ25В02 для требования применений энергонезависимой памяти частым или быстрый пишет или деятельность низкой мощности. Примеры выстраивают в ряд от сбора данных, где номер пишет циклы может быть критическим, к требовать промышленным контролям где длинные пишут время серийной вспышки могут причинить потерю данных.

 

ФМ25В02 снабжает существенные преимущества потребители серийной вспышки как оборудование падени-в замене. Приборы используют высокоскоростной автобус СПИ, который увеличивает высокоскоростное пишет возможность технологии Ф-РАМ. ФМ25ВН02 предложено с уникальным серийным номером который доступен только для чтения и может быть использован для того чтобы определить доску или систему. Оба прибора включают доступный только для чтения ИД прибора который позволяет хозяину определить изготовитель, плотность продукта, и изменение продукта. Приборы гарантированы над промышленным диапазоном температур -40°К к +85°К.

 

Абсолютный максимум оценок

СимволОписаниеОценки
ВДДНапряжение тока электропитания по отношению к вСС-1.0В к +4.5В
ВВНУТРИНапряжение тока на любом штыре по отношению к вСС-1.0В к +4.5В и ВВ< V=""> ДД+1.0В
ТСТГТемпература хранения-55°К к + 125°К
РУКОВОДСТВО ТСекунд температуры руководства (паяя, 10)260°К
ВЭСД

Электростатическое разрядное напряжение

  - Модель человеческого тела (АЭК-К100-002 Рев. Э)

  - Порученная модель прибора (АЭК-К100-011 Рев. Б)

  - Модель машины (АЭК-К100-003 Рев. Э)

 

1кВ

1.25кВ

200В

 Уровень чувствительности влаги пакетаМСЛ-1

Стрессы над теми перечисленными под абсолютным максимумом оценок могут причинить постоянное повреждение к прибору. Это стресс классифицируя только, и не подразумевается функциональная деятельность прибора на этих или всех других условий над теми перечисленными в рабочем разделе этой спецификации. Подвержение к абсолютному максимуму условий оценок на выдвинутые периоды может повлиять на надежность прибора.

 

Конфигурация Пин

 

 

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет
ФДН358П58000ФЭЙРЧАЙЛД16+СОТ-23
ФДН5630-НЛ83000ФЭЙРЧАЙЛД16+СОТ-23
ФДПФ14Н305507ФЭЙРЧАЙЛД09+ТО-220Ф
ФДС36725282ФЭЙРЧАЙЛД14+СОП-8
ФДС4435БЗ16331ФЭЙРЧАЙЛД15+СОП-8
ФДС4935БЗ9357ФЭЙРЧАЙЛД14+СОП-8
ФДС657620788ФЭЙРЧАЙЛД13+СОП-8
ФДС6681З6161ФЭЙРЧАЙЛД13+СОП-8
ФДС6699С20859ФЭЙРЧАЙЛД13+СОП-8
ФДС897818516ФЭЙРЧАЙЛД09+СОП-8
ФДС9431А9728ФЭЙРЧАЙЛД13+СОП-8
ФДС9945-НЛ9799ФЭЙРЧАЙЛД12+СОП-8
ФДВ301Н12000ФСК16+СОТ23-5
ФДВ304П86000ФЭЙРЧАЙЛД15+СОТ-23
ФЭП16ДТ8008ВИСХАИ11+ТО-220
ФЭП16ГТ12410ФСК16+ТО-220
ФЭРД30М45КТ6132СТ15+ТО-220АБ
ФЭС16ДЖТ12481ВИСХАИ13+ТО-220
ФГА25Н120АНТД5228ФСК15+ТО-3П
ФГХ40Н60СМДФ5808ФЭЙРЧАЙЛД16+ТО-247
ФГХ40Н60УФД8213ФЭЙРЧАЙЛД15+ТО-247
ФГХ60Н60СФД4835ФЭЙРЧАЙЛД13+СОП-8
ФГХ60Н60УФД4764ФСК16+ТО-247
ФГЛ40Н120АНД7142ФЭЙРЧАЙЛД16+ТО-264
ФДЖЭ3303Х2ТУ14485ФЭЙРЧАЙЛД07+ТО-126
ФЛЗ2В2А20000ФСК15+ЛЛ34
ФЛЗ3В6А7000ФСК12+ЛЛ34
ФМ18В08-СГТР4627КИПАРИС11+СОП-28
ФМ24КЛ64Б-ГТР1578КИПАРИС16+СОП-8
ФМ24В256-ГТР7533КИПАРИС14+СОП-8

 

 

 

China ФМ25В02-Г электронный ИК откалывает 256Кб память сериала 3В Ф-РАМ supplier

ФМ25В02-Г электронный ИК откалывает 256Кб память сериала 3В Ф-РАМ

Запрос Корзина 0