китай категории
Русский язык

Транзистор кремния ФЭТ НПН МОС канала н транзистора Пин 2СК2996 3

Номер модели:2SK2996
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:7900пкс
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.КоличествоБрендД/КПакет
Л6599Д6828СТ13+СОП-16
Л7805АБП12978СТ11+ТО-220Ф
Л7812КВ60000СТМ14+ТО-220
Л78Л33АКУТР38000СТ15+СОТ-89
Л78М05КДТ98000СТ16+ТО-252
Л78М08АБДТ-ТР14698СТ16+СОТ-252
Л78М12КДТ101000СТ13+ТО-252
Л78С05КВ11629СТ16+ТО-220
Л78С12КВ4245СТ16+ТО-220
Л7985АТР13028СТМ15+ХСОП-8
Л9407Ф3184СТ15+ЗАСТЕЖКА-МОЛНИЯ
Л9637Д013ТР1520СТ15+СОП
Л9826ТР3101СТ12+СОП-20
ЛА44403580САНИО13+ЗИП-14
ЛА7804015692САНИО14+ТО-220
ЛА7804114769САНИО15+ТО-220
ЛА7804516047САНИО13+ТО-220-7
ЛАН83К185-ДЖТ2746СМСК16+КФП64
ЛАН8710А-ЭЗК-ТР5987СМСК13+КФН32
ЛАН8710АИ-ЭЗК-ТР15547СМСК14+КФН
ЛАН8720А-КП-ТР4876МИКРОСХЕМА16+КФН24
ЛАН9115-МТ7959МИКРОСХЕМА09+КФП
ЛКДА05.ТБТ7787СЭМТЭКХ11+СОП-8
ЛКМСО640К-3ТН100К4897РЕШЕТКА12+ТКФП100
ЛКМЗО640К-4ТН100К1113РЕШЕТКА16+КФП100
ЛКП02-150Б1РЛ6643СТ16+СОП-8
ЛД1086Д2М33ТР4316СТ14+ТО-263
ЛД1086В336714СТ08+ТО-220
ЛД1117АДТ18ТР51000СТ15+ТО-252
ЛД1117С18ТР101000СТ11+СОТ-223

 

 

Тип МОС канала н кремния транзистора влияния поля ТОШИБА

(π−МОСВ) 2СК2996

 

Применения конвертера ДК−ДК, привода реле и привода мотора

 

Низкое драйн−соурсе НА сопротивлении: РДС(ДАЛЬШЕ) = 0,74 Ω (тип.)

Высокий передний вход передачи: |Ифс| = 6,8 с (тип.)

Низкое течение утечки: ИДСС = μА 100 (максимальное) (вДС = 600 в)

Режим повышения: Тх в = 2.0~4.0 в (вДС = 10 в, Ид = мамы 1)

 

Абсолютный максимум оценок (животиков = 25°К)

ХарактеристикиСимволКлассифицироватьБлок
Напряжение тока Драйн−соурсеВДСС600В
Напряжение тока Драйн−гате (рГС = кΩ 20)ВДГР600В
Напряжение тока Гате−соурсеВГСС±30В
Стеките течениеДК (примечание 1)ИД10А
ИМП ульс (примечание 1)ИДП30
Стеките диссипацию силы (Тк = 25°К)ПД45В
Одиночная энергия лавины ИМПа ульс (примечание 2)ЭКАК252мДж
Течение лавиныИАР10А
Повторяющийся энергия лавины (примечание 3)ЭАР4,5мДж
Температура каналаТч150°К
Диапазон температур храненияЦтг−55~150°К

 

Примечание: Использование непрерывное под тяжелыми грузами (например применением высокой температуры/течения/напряжения тока и значительного изменения в температуре, етк.) может причинить этот продукт уменьшить в надежности значительно даже если эксплуатационные режимы (т.е. рабочая температура/течение/напряжение тока, етк.) в пределах абсолютного максимума оценок. Пожалуйста конструируйте соотвествующую надежность по рассмотрение руководства надежности полупроводника Тошиба («регулирующ концепция и методы/Дератинг меры предосторожности») и индивидуальных данных по надежности (т.е. отчет по испытанию надежности и оцененные интенсивность отказов, етк).

 

   Вес: 1,9 г (тип.)

 

 

 

China Транзистор кремния ФЭТ НПН МОС канала н транзистора Пин 2СК2996 3 supplier

Транзистор кремния ФЭТ НПН МОС канала н транзистора Пин 2СК2996 3

Запрос Корзина 0