китай категории
Русский язык

Транзистор ньпн кремния высоковольтный общецелевой построенный в более влажном диоде, 2СД1290

Номер модели:2СД1290
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:8000
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

Транзистор 2СД1290 ньпн кремния высоковольтный общецелевой построенный в более влажном диоде

 

ОПИСАНИЕ

·С пакетом ТО-3ПН

·Встроенный диод демфера

·Высокое напряжение, высокая надежность

·Широкое пространство безопасной работы

 

ПРИМЕНЕНИЯ

·Для отклонения ТВ цвета горизонтального

  применения выхода

 

ПРИКАЛЫВАНИЕ

      ПИН      ОПИСАНИЕ
       1    Основание
       2

    Сборник; подключенный с устанавливать основание

       3    Излучатель

 

 

 

Абсолютный максимум оценок (Та=25℃)

 СИМВОЛ       ПАРАМЕТР           УСЛОВИЯ   ЗНАЧЕНИЕ   БЛОК
   ВКБО  Напряжение тока коллектора- база   Раскройте излучатель   1500     В
   ВЭБО  напряжение тока Излучател-основания   Раскройте сборник     5     В
    ИК  Течение сборника (ДК)      3     А
    ИСМ  Течение сборника (ИМП ульс)     10     А
    ПК  Диссипация силы сборника   ТК=25℃     50     В
    Тдж  Температура соединения     130     ℃
    Стг т  Температура хранения   -55~130     ℃

 

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ Тдж=25℃ если не указано иное

 СИМВОЛ         ПАРАМЕТР        УСЛОВИЯ  МИНИМАЛЬНЫЙ.  ТИП.  МАКС.  БЛОК
 В(БР)ЭБО пробивное напряжение Излучател-основания Т.Е. =500мА; ИК=0    5      В
 ВКЭсат Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера ИК=2А; ИБ=0.75А      5,0    В
 ВБЭсат напряжение тока сатурации Основани-излучателя ИК=2А; ИБ=0.75А       1,5    В
 ИКБО Течение выключения сборника

 ВКБ=750В; Т.Е. =0

 ВКБ=1500В; Т.Е. =0

  

     50

      1

   μА

   мамы

 ФЭ х Увеличение ДК настоящее ИК=2А; ВКЭ=10В     3       8 
 тс Продолжительность храненияИК=2А иЛеак=0.75А, лБ=5μХ     3       7    μс
 тф Время падения        1    μс
 ВФ Пропускное напряжение диода ИФ=-4А, ИБ=0       2,2     В

 

 

ПЛАН ПАКЕТА

 

China Транзистор ньпн кремния высоковольтный общецелевой построенный в более влажном диоде, 2СД1290 supplier

Транзистор ньпн кремния высоковольтный общецелевой построенный в более влажном диоде, 2СД1290

Запрос Корзина 0