китай категории
Русский язык

Микросхемы Э28Ф128ДЖ3А-150 и интегральная схемаа интегральных схема откалывают память Интел СтратаФлаш 3 вольт

Номер модели:E28F128J3A-150
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:10pcs
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:8600пкс
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

Память Интел® СтратаФлаш™ 3 вольт

28Ф128ДЖ3А, 28Ф640ДЖ3А, 28Ф320ДЖ3А (кс8/кс16)

 

Характеристики продукта

Архитектура ■ хигх-денситы Симметричн-преграженная

    — 128 блоков стирания 128-Кбыте (128 м)

    — 64 блока стирания 128-Кбыте (64 м)

    — 32 блока стирания 128-Кбыте (32 м)

Режим страницы интерфейса высокой эффективности ■ асинхронный читает

    — 110/25 нс прочитал время выборки (32 м)

    — 120/25 нс прочитал время выборки (64 м)

    — 150/25 нс прочитал время выборки (128 м)

деятельность ВКК ■ 2,7 В-3.6 В

регистр предохранения от бита ■ 128

    — 64-разрядный уникальный идентификатор прибора

    — клетки 64-разрядного потребителя Программабле ОТП

■ увеличило предохранение от особенностей защиты данных абсолютное с ВПЭН = ГНД

    — Гибкий запирать блока

    — Стирание блока/замыкание программы во время переходов силы

Упаковка ■

    — пакет 56-Леад ТСОП

    — пакет 64-Балл Интел® легкий БГА

Набор основной команды Интел поддержки команды ■ Взаимн совместимый

    — Общий внезапный интерфейс

    — Масштабируемый набор команды

■ 32-Быте пишет буфер

    — 6 µс в время байта эффективное программируя

■ 12.8М полное Минимальн Стирать Цикл (128 Мбит)

   6.4М полное Минимальн Стирать Цикл (64 Мбит)

   3.2М полное Минимальн Стирать Цикл (32 Мбит)

    — минимальные циклы стирания 100К в блок

Автоматизация ■ приостанавливает варианты

    — Стирание блока приостанавливает для чтения

    — Стирание блока приостанавливает для программирования

    — Программа приостанавливает для чтения

технология памяти Интел® СтратаФлаш™ µ ■ 0,25

 

Пишущ прописными буквами на технологиях 2-бит-в-клетки поколения µ Интел 0,25, продукты памяти Интел® СтратаФлаш™ второго поколения обеспечивают 2С биты в 1С космос, с новыми особенностями для представления основного направления. Предложенный в 128-Мбит (16-Мбыте), плотности 64-Мбит, и 32-Мбит, эти приборы приносят надежное, технология памяти 2-бит-в-клетки к внезапному сегменту рынка.

Преимущества включают: больше плотности в меньше космосе, высокоскоростного интерфейсе, самых низких цен-в-бите НИ приборах, поддержке для кода и хранения данных, и легкой миграции к будущим приборам.

Используя такую же основанную на Ни технологию ЭТОС™ как продукты одн-бит-в-клетки Интел, запоминающие устройства Интел СтратаФлаш пользуются над один миллиардом блоками опыта производства с 1987. В результате компоненты Интел СтратаФлаш идеальны для применений кода и данных где высокая плотность и низкая цена необходимы. Примеры включают сеть, радиосвязи, цифровые телевизионные приставки, аудиозапись, и цифровое воображение.

Путем приложение пиноуц семьи памяти ФлашФиле™, компоненты памяти Интел СтратаФлаш позволяют легким миграциям дизайна от существующей шириной с Слов памяти ФлашФиле (28Ф160С3 и 28Ф320С3), и приборам памяти Интел СтратаФлаш первого поколения (28Ф640ДЖ5 и 28Ф320ДЖ5).

Компоненты памяти Интел СтратаФлаш поставляют новое поколение передн-совместимой поддержки программы. Путем использование общего внезапного интерфейса (CFI) и масштабируемой команды установленного (SCS), клиенты могут пользоваться подъемами плотности и оптимизированный напишите возможности будущих запоминающих устройств Интел СтратаФлаш.

Изготовленный на Интел® технологический прочесс 0,25 микронов ЭТОС™ ВИ, память Интел СтратаФлаш обеспечивает высокие уровни качества и надежности.

 

Абсолютный максимум оценок

ПараметрМаксимальная оценка
Температура под расширенным смещением– °К 25 к °К +85
Температура хранения– °К 65 к °К +125
Напряжение тока на любом Пин– 2,0 в к +5,0 в(1)
Течение короткого замыкания выхода100 мам(2)

ПРИМЕЧАНИЯ:

1. Все определенные напряжения тока по отношению к ГНД. Минимальное напряжение тока ДК – 0,5 в на штырях вход-выхода и – 0,2 в на штырях ВКК и ВПЭН. Во время переходов, этот уровень может недострел – 2,0 в на периоды <20 ns="">

2. Выход замкнутый накоротко на отсутствие больше чем одна секунда. Отсутствие больше чем выведенное наружу одно замкнутый накоротко одновременно.

 

Блок-схема памяти Интел® СтратаФлаш™ 3 вольт

 

 

Предложение запаса (горячее надувательство)

Номер детали.К'тыМФГД/КПакет
ЛМ5106ММ3219ТИ15+ВССОП-10
СРТ7300ИВ500ЭСАР00+КФП44
КС5530А-УКЭ936НС00+БГА
КС5536АД914АМД11+БГА
ПИК16Ф887-И/СП4768МИКРОСХЕМА15+ПОГРУЖЕНИЕ
ЛТ3580ЭМС8Э13382ЛИНЕЙНЫЙ16+МСОП
МК9С08АК128КФУЭ4522ФРЭЭСКАЛЭ14+КФП
ЛАН91К111-НС980СМСК13+КФП-128
НКП1014АП100Г8640НА11+ПОГРУЖЕНИЕ
НКП1055П100Г9360НА11+ПОГРУЖЕНИЕ
НКП1014СТ100Т3Г8800НА10+СОТ-223
МАС8647ЭТЭ8773СЕНТЕНЦИЯ16+КФН
МП020-55679МПС16+СОП
НКП1075П065Г9520НА13+ПОГРУЖЕНИЕ
НКП1027П100Г9120НА15+ПОГРУЖЕНИЕ
НКП1014АП065Г8560НА13+ПОГРУЖЕНИЕ
НКП1027П065Г9040НА10+ПОГРУЖЕНИЕ
НКП1014АПЛ065Р2Г8720НА15+СМД
ПИК16Ф1783-И/СС5323МИКРОСХЕМА13+ССОП
МКП73862Т-И/СЛ5620МИКРОСХЕМА14+СОИК
ПИК16Ф84А-20/СО4948МИКРОСХЕМА16+СОП

 

 

 

 

China Микросхемы Э28Ф128ДЖ3А-150 и интегральная схемаа интегральных схема откалывают память Интел СтратаФлаш 3 вольт supplier

Микросхемы Э28Ф128ДЖ3А-150 и интегральная схемаа интегральных схема откалывают память Интел СтратаФлаш 3 вольт

Запрос Корзина 0