китай категории
Русский язык

Вспышка КМОС обломока интегральной схемаы КОП8СКР9ХВА8 8-разрядная основала микроконтроллер с памятью 32к, виртуальным ЭЭПРОМ и Брауноут

Номер модели:COP8SCR9HVA8
Место происхождения:Оригинал
Количество минимального заказа:20шт
Термины компенсации:T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:5200PCS
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

8-разрядная вспышка КМОС основала микроконтроллер с памятью 32к, виртуальным ЭЭПРОМ и Брауноут


Общее описание

  КОП8СБР9/СКР9/СДР9 проблескивают основанные микроконтроллеры сильно интегрированные приборы ядра особенности КОП8™, с флэш-памятью 32к и продвинутыми особенностями включая виртуальное ЭЭПРОМ, высокоскоростные таймеры, УСАРТ, и возврат Брауноут. Этот прибор КМОС одно-обломока одет для применений требуя полностью отличаемого, в-системы репрограммабле регулятора с большой памятью и низкого ЭМИ. Такой же прибор использован для развития, подготовки производства и объема продукции с рядом средств разработки программного обеспечения программного обеспечения КОП8 и оборудования.

 

ГЛАВНЫЕ ОСОБЕННОСТИ

память программы кбайтов ►32 внезапная с признаком безопасности

► виртуальное ЭЭПРОМ используя внезапную память программы

РАМ волатиле кбайта ►1

►УСАРТ с на генератором бода обломока

Программируемость В-системы ► 2.7В-5.5В вспышки

Выносливость ► высокая - прочитанные 100к/пишут циклы

удерживание данным по ►Супериор - 100 лет

►Дуал деятельность часов с силой ХАЛТ/ИДЛЭ - сохраните режимы

 

Блок-схема

Абсолютный максимум оценок

Если войска/воздушно-космическое пространство определили, то приборы необходимы, пожалуйста контактируют национальные раздатчиков офиса по сбыту полупроводника для наличия и спецификаций.

 

Подача напряжения (ВКК) 7В

 

Напряжение тока на любом Пин −0.3В к ВКК +0.3В

 

Течение итога в ВКК Пин (источник) 200 мам

 

Течение итога из Пин ГНД (раковины) 200 мам

 

Диапазон температур −65˚К хранения к +140˚К

 

Уровень 2 кВ предохранения от ЭСД (модель человеческого тела)

 

 

ФУНКЦИОНАЛЬНОЕ ОПИСАНИЕ

Организация особенности ИСП состоит из памяти программы вспышки потребителя, РОМ ботинка фабрики, и некоторое регистрирует преданное к выполнять функцию ИСП. См. диаграмму 13 для упрощенной блок-схемы. Фабрика установила ИСП который использует МИКРОВИРЭ/ПЛУС расположен в РОМ ботинка. Размер РОМ ботинка байты 1К и также содержит код для того чтобы облегчить в возможности эмулирования системы. Если потребитель выбирает написать его собственный режим ИСП, то его необходимо расположиться в внезапной памяти программы

China Вспышка КМОС обломока интегральной схемаы КОП8СКР9ХВА8 8-разрядная основала микроконтроллер с памятью 32к, виртуальным ЭЭПРОМ и Брауноут supplier

Вспышка КМОС обломока интегральной схемаы КОП8СКР9ХВА8 8-разрядная основала микроконтроллер с памятью 32к, виртуальным ЭЭПРОМ и Брауноут

Запрос Корзина 0