китай категории
Русский язык

Применения Амп силы транзистора 2СК2274 НПН помещенные пластмассой низкочастотные

Номер модели:2SC2274
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:10000
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

 

Транзистор НПН помещенный пластмассой

2СК2274

 
 

ОСОБЕННОСТИ

* высокое пробивное напряжение                                                            

* большой ток                    

* низкое напряжение тока сатурации

 

 

 

КЛАССИФИКАЦИЯ ФЭ х(1)

Продукт-ряд2СК2274-Д2СК2274-Э2СК2274-Ф
  Ряд  60~120  100~200  160~320

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК (ЖИВОТИКОВ = 25°К если не указано иное)

   Параметр           Символ        Классифицировать       Блок
 Сборник к низкопробному напряжению тока            ВКБО           60        В
 Сборник к напряжению тока излучателя             ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР            50        В
 Излучатель к низкопробному напряжению тока             ВЭБО             5        В
 Течение сборника - непрерывное              ИК            0,5        А
 Диссипация силы сборника              ПК           600       мВ
 Термальное сопротивление от соединения к окружающему              РθДжА           208     °К/в
 Соединение, температура хранения              ТДж, ТСТГ     150, -55~150         °К

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ЖИВОТИКИ = 25°К если не указано иное)

  Параметр  Символ  Минимальный. Тип.  Макс.Блок   Условия испытаний
Сборник для того чтобы основать пробивное напряжение В(БР)КБО 60

  --

   --  В ИК=0.01мА, Т.Е. =0
Сборник к пробивному напряжению излучателя ГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР В(БР)  50   --   --  В ИК=1мА, ИБ=0
Излучатель для того чтобы основать пробивное напряжение В(БР)ЭБО   5   --   --  В Т.Е. =0.01МА, ИК=0
Течение выключения сборника  ИКБО   --   --   1  μА ВКБ=40В, Т.Е. =0
Течение выключения излучателя  ИЭБО   --   --   1  μА ВЭБ=4В, ИК=0
Увеличение ДК настоящее

  ФЭ х(1)

  ФЭ х(2)

  60

  35

   --

   --

  320

   --

 

 ВКЭ=5В, ИК=50мА

 ВКЭ=5В, ИК=400мА

Сборник к напряжению тока сатурации излучателя  В(сидеть)КЭ   --   --  0,6  В ИК=400мА, ИБ=40мА
Основание к напряжению тока излучателя  В(сидеть)   --   --  1,2  В ИК=400мА, ИБ=40мА
Частота перехода   фт   --  120   --  МХз ВКЭ=10В, ИК=10мА
Емкость выхода сборника   Об к   --   5   --   пФ ВКБ=10В, ф=1МХз

 

 

 

 

 

 

China Применения Амп силы транзистора 2СК2274 НПН помещенные пластмассой низкочастотные supplier

Применения Амп силы транзистора 2СК2274 НПН помещенные пластмассой низкочастотные

Запрос Корзина 0