китай категории
Русский язык

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

Номер модели:2N6038
Место происхождения:Первоначально фабрика
Количество минимального заказа:20
Термины компенсации:T / T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:10000
Срок поставки:1 день
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

 

Пластиковые транзисторы силы кремния Дарлинтон комплементарные конструированы для общецелевого усилителя и лов−спед переключая применений.

 

• Высокое увеличение ДК настоящее — хФЭ = 2000 (тип) @ ИК = 2,0 Адк

• Напряжение тока коллектор- эмиттера терпя — @ мАдк 100

                                             Вглавный исполнительный директор(сус) = 60 Вдк (минута) — 2Н6035, 2Н6038 = 80 Вдк

                                              (Минута) — 2Н6036, 2Н6039

• Препровождайте пристрастному второму нервному расстройству настоящую возможность иС/б = 1,5 Адк @ 25 Вдк

• Монолитовая конструкция с встроенными резисторами Основани-излучателя к умножению ЛимитЭЛеакаге

• Пакет пластмассы коэффициента ТО-225АА Представлени-к-цены Космос-сбережений высокий

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ

КлассифицироватьСимволЗначениеБлок

Напряжение тока 2Н6034 Коллектор−Эмиттер

                                         2Н6035, 2Н6038

                                         2Н6036, 2Н6039

  ВГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

  40

  60

  80

  Вдк

Напряжение тока 2Н6034 Коллектор−Басе

                                      2Н6035, 2Н6038

                                      2Н6036, 2Н6039

  ВКБО

  40

  60

  80

  Вдк
Напряжение тока Эмиттер−Басе  ВЭБО  5,0  Вдк

Течение сборника непрерывное

                                       Пик

  ИК

  4,0

  8,0

  Адк

  Апк

Ток базы  ИБ  100  мАдк

Полная диссипация прибора @ ТК = 25°К

Дерате над 25°К

  ПД

  40

  320

    В

  мВ/°К

Полная диссипация прибора @ ТК = 25°К

Дерате над 25°К

  ПД

  1,5

  12

    В

  мВ/°К

Оператинг и диапазон температур соединения хранения  Тдж, стг т  – 65 до +150  °К

 

ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ХарактерныйСимволМаксБлок
Термальное сопротивление, Джунктион−то−КасеРДЖК3,12°К/В
Термальное сопротивление, Джунктион−то−АмбиентРДЖА83,3°К/В

Стрессы превышая максимальные оценки могут повредить прибор. Максимальные оценки оценки стресса только. Функциональная деятельность над порекомендованными эксплуатационными режимами не подразумевается. Выдвинутое подвержение к стрессам над порекомендованными эксплуатационными режимами может повлиять на надежность прибора.

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (ТК = 25К если не указано иное)

ХарактерныйСимволМинутаМаксБлок
С ХАРАКТЕРИСТИК    

Напряжение тока Коллектор−Эмиттер терпя

(ИК = 100 мАдк, ИБ = 0) 2Н6034 2Н6035, 2Н6038 2Н6036, 2Н6039

  Вглавный исполнительный директор(сус)

  40

  60

  80

  --

  --

  --

  Вдк

Течение Коллектор−Кутофф

(ВКЭ = 40 Вдк, ИБ = 0) 2Н6034

(ВКЭ = 60 Вдк, ИБ = 0) 2Н6035, 2Н6038

(ВКЭ = 80 Вдк, ИБ = 0) 2Н6036, 2Н6039

  ИГЛАВНЫЙ ИСПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДИРЕКТОР

  --

  -- 

  --

  100

  100

  100

  уА

Течение Коллектор−Кутофф

(ВКЭ = 40 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк) 2Н6034

(ВКЭ = 60 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк) 2Н6035, 2Н6038

(ВКЭ = 80 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк) 2Н6036, 2Н6039

(ВКЭ = 40 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк, ТК = 125К) 2Н6034

(ВКЭ = 60 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк, ТК = 125К) 2Н6035, 2Н6038

(ВКЭ = 80 Вдк, ВБЭ () = 1,5 Вдк, ТК = 125К) 2Н6036, 2Н6039 

  ИКЭС

  --

  -- 

  --

  --

  --

  --

  100

  100

  100

  500

  500

  500

  уА

Течение Коллектор−Кутофф

(ВКБ = 40 Вдк, ИЭ = 0) 2Н6034

(ВКБ = 60 Вдк, ИЭ = 0) 2Н6035, 2Н6038

(ВКБ = 80 Вдк, ИЭ = 0) 2Н6036, 2Н6039

  ИКБО

  --

  --

  --

  0,5

  0,5

  0,5

  мАдк
Течение Эмиттер−Кутофф (ВБЭ = 5,0 Вдк, ИК = 0)  ИЭБО  --  2,0  мАдк
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ    

Увеличение ДК настоящее

     (ИК = 0,5 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

     (ИК = 2,0 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

     (ИК = 4,0 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

  хФЭ

  500

  750

  100

   --

  15 000

   --

  --

Напряжение тока сатурации Коллектор−Эмиттер

     (ИК = 2,0 Адк, ИБ = мАдк 8,0)

     (ИК = 4,0 Адк, ИБ = мАдк 40)

  В(сидеть)КЭ

  --

  --

  2,0

  3,0

  Вдк

Напряжение тока сатурации Басе−Эмиттер

     (ИК = 4,0 Адк, ИБ = мАдк 40)

  В(сидеть)  --  4,0  Вдк

Басе−Эмиттер на напряжении тока

     (ИК = 2,0 Адк, ВКЭ = 3,0 Вдк)

  В(дальше)  --  2,8  Вдк
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ    

Смалл−Синьял Куррент−Гайн

     (ИК = 0,75 Адк, ВКЭ = 10 Вдк, ф = 1,0 МХз)

  |фе х|  25  --  --

Емкость выхода

(ВКБ = 10 Вдк, ИЭ = 0, ф = 0,1 МХз) 2Н6034, 2Н6035, 2Н6036 2Н6038, 2Н6039

  Об к

  --

  --

  200

  100

  пФ

Данные по *Индикатес зарегистрированные ДЖЭДЭК.

 

 

 

 

China Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния supplier

Пластиковый мосфет силы Дарлинтон комплементарный, транзисторы силы 2Н6038 кремния

Запрос Корзина 0