Модуль диода тиристора IC Netz модуля силы Mosfet управлением участка
Номер модели:TT425N12KOF
Место происхождения:Китай
Количество минимального заказа:2PCS
Термины компенсации:T / T, Western Union, PayPal
Способность поставкы:300PCS
Срок поставки:Предложение штока
контакт
Add to Cart
Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес:
Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа:
в рамках 25 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
Модуль диода тиристора ИК Нетц модуля силы Мосфет управлением участка
поверблок ик ТТ425Н12КОФ модуля
Электрише Айгеншафтен/электрические свойства
Хöкстцулäссиге Верте/максимальные нормированные величины
| -государство и обратные напряжения Рквäрц-Спиценсперрспаннунг унд Периодише Ворвäрц- повторяющийся пиковое переднее | Твдж = -40°К… Твдж максимальное | ВДРМ, ВРРМ | 1000 1400 1200 1600 1800 | В В В |
| Напряжение тока -государства Ворвäрц-Стоßспиценсперрспаннунг бесповторное пиковое переднее | Твдж = -40°К… Твдж максимальное | ВДСМ | 1000 1400 1200 1600 1800 | В В В |
| Течение на-государства Дурчлаßстром-Гренцеффективверт максимальное РМС | Твдж =+25°К… Твдж максимальное | ВРСМ | ||
| Течение на-государства Дурчлаßстром-Гренцеффективверт максимальное РМС | ИТРМСМ | 800 | А | |
| На-государство Дауэргренцстром среднее настоящее ТК = 85°К ТК = 74°К ИТАВМ 425 510 А а | ТК = 85°К ТК = 74°К | 425 510 | А А | |
| Течение пульсации Стоßстром-Гренцверт | Твдж = °К 25 тП = госпожа 10 Твдж = Твдж максимальное тП = госпожа 10 | ИТСМ | 14500 12500 | А А |
| Т-значение ² Гренцластинтеграл и | Твдж = °К 25 тП = госпожа 10 Твдж = Твдж максимальное тП = госпожа 10 | И ² т | ² с ² с | А А |
| Тариф Критише Стромстайльхайт критический подъема течения на-государства | ИЭК 747-6 ДИН ф = 50 Хз, иГМ = 1 а, диГ/дт = 1 А/µс | кр (дИТ/дт) | 120 | А/µс |
| Тариф Критише Спаннунгсстайльхайт критический подъема напряжения тока -государства | Твдж = Твдж максимальное, вД = 0,67 ВДРМ 6.Кеннбукстабе/6-ое письмо ф | кр (двД/дт) | 1000 | В/µс |
Электрише Айгеншафтен/электрические свойства
Чарактеристише Верте/характеристические значения
| Время поворота- Фрайвердезайт коммутированное цепью | Твдж = Твдж максимальное, иТМ = вРМ ИТАВМ = 100 в, вДМ = 0,67 ВДРМ двД/дт = 20 В/µс, - диТ/дт = 10 А/µс 5.Кеннбукстабе/5-ое письмо о | тк | тип 250 | µс |
| Напряжение тока теста изоляции изоляций-Прфспаннунг | РМС, ф = 50 Хз, т = 1 минимальный РМС, ф = 50 Хз, т = 1 сек | ВИСОЛ | 3,0 3,6 | Кв Кв |
Луфцельбсткхлунг/естественное охлаждающ 1 Модул про Кхлкöрпер/1 модуль в хэацинк Кхлкöрпер/тип Хеацинк: КМ 17 (120В)
Верстäркте Кхлунг/принудительное охлаждение 1 Модул про Кхлкöрпер/1 модуль в хэацинк Кхлкöрпер/тип Хеацинк: КМ17 (Папст 4650Н)
нев&оригинал 100%
Модуль диода тиристора IC Netz модуля силы Mosfet управлением участка
Запрос Корзина
0