китай категории
Русский язык

TSAL4400 GaAs/иК GaAlAs испуская диод наивысшей мощности диода ультракрасный испуская

Номер модели:TSAL4400
Место происхождения:Филиппины
Количество минимального заказа:20
Термины компенсации:T/T, Western Union, Paypal
Способность поставкы:20000
Срок поставки:1
контакт

Add to Cart

Сайт Участник
Shenzhen Guangdong China
Адрес: Район Б-9П/10Н Духуй 100 строя Футян, Шэньчжэнь, Китай
последний раз поставщика входа: в рамках 25 .
Информация о продукте Профиль Компании
Информация о продукте

TSAL4400 GaAs/иК GaAlAs испуская диод наивысшей мощности диода ультракрасный испуская

 

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ                                 

• Тип пакета: освинцованный

• Форма пакета: T-1

• Размеры (в mm): ∅ 3

• Пиковая длина волны: λp = 940 nm

• Высокая надежность

• Высокая излучающая сила

• Высокая излучающая интенсивность

• Угол половинной интенсивности: ϕ = ± 25°

• Низкое пропускное напряжение

• Соответствующий для деятельности высокого ИМПа ульс настоящей

• Хороший спектральный соответствовать с фотодетекторами Si

• Спички пакета с детектором TEFT4300

• Руководство (Pb) - свободный компонент в соответствии с RoHS 2002/95/EC и WEEE 2002/96/EC

 

 

ОПИСАНИЕ

TSAL4400 инфракрасный, 940 nm испуская диод в технологии GaAlAs/GaAs при высокая излучающая сила отлитая в форму в голуб-сером пластичном пакете.

 

ПРИМЕНЕНИЯ

• Ультракрасные блоки дистанционного управления

• Системы передачи свободного воздуха

• Ультракрасный источник для оптически счетчиков и читателей карточки

 

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ
ПРИКАЗЫВАЯ КОД УПАКОВЫВАТЬ   ПРИМЕЧАНИЯ ПАКЕТ FORMtr (ns)
TSAL4400 Большое часть MOQ: 5000 ПК, 5000 ПК/большое часть T-1

 

 

Примечание

Условия испытания видят таблицу «основные характеристики «

СВОДКА ПРОДУКТА
КОМПОНЕНТIe (mW/sr)ϕ (deg)λP (nm)tr (ns)
TSAL440030± 25940800

 

 

China TSAL4400 GaAs/иК GaAlAs испуская диод наивысшей мощности диода ультракрасный испуская supplier

TSAL4400 GaAs/иК GaAlAs испуская диод наивысшей мощности диода ультракрасный испуская

Запрос Корзина 0