Свободно стоящие субстраты GaN
Место происхождения:Китай
контакт
Add to Cart
Активный участник
Chongqing Chongqing China
Адрес:
Block 4, No. 5, Torch Ave, Jiulongpo District, Chongqing,400080 China
последний раз поставщика входа:
в рамках 45 .
Информация о продукте
Профиль Компании
Информация о продукте
субстраты GaN 2 дюймов свободно стоящие
Размеры: Ф 50,8 mm ± 1 mm
Толщина: 350 µm ± 25
Годная к употреблению поверхностная область: > 90%
Ориентация: C-самолет (0001) с угла к M-оси 0.35°± 0.15°
Квартира ориентации: ± 0.5° (1-100), ± 16,0 1,0 mm
Вторичная квартира ориентации: ± 3° (11-20), ± 8,0 1,0 mm
Полное изменение толщины: µm ≤ 15
СМЫЧОК: µm ≤ 20
Тип кондукции: N типа (Undoped); N типа (Ge-данный допинг);
(Fe-данный допинг) Полу-изолировать
Резистивность (300K): < 0,5 Ω·см; < 0,05 Ω·см; >106 Ω·см
Плотность дислокации: см-2 1~9x105; см-2 5x105; см-2 ~3x106
см-2 1~9x105; см-2 1~3x106; см-2 1~3x106
Полировать: Лицевая поверхность: Ра < 0,2 nm. отполированное
Epi-готовое
Задняя поверхность: Точная земля
Свободно стоящие субстраты GaN
Запрос Корзина
0