

Add to Cart
Применение
C.P.U. 412-1 недорогой вход в средний ряд представления. Его можно использовать в более небольших системах с ограниченной конфигурацией I/O. Совмещенный интерфейс MPI/DP также включает деятельность линии DP PROFIBUS.
C.P.U. 412-2 C.P.U. для применений в ряде средний-представления с 2 системами DP PROFIBUS мастерскими.
Для сети внутри сеть PROFINET, C.P.U. 412-2 PN доступно.
Инструмент «аппаратную конфигурацию» РАЗДЕЛА 7 можно использовать для того чтобы parameterize свойства и ответ S7-400 включая C.P.U., например.
Номер статьи | 6ES7412-1XJ07-0AB0 | 6ES7412-2XK07-0AB0 | 6ES7412-2EK07-0AB0 | |
---|---|---|---|---|
CPU412-1, MPI/DP, 512 KB | CPU412-2, MPI/DP, 1 MB | CPU412-2 PN, 1 MB, 2 SCHNITTSTELLEN | ||
Общая информация | ||||
Типовое обозначение продукта | C.P.U. 412-1 | C.P.U. 412-2 | C.P.U. 412-2 PN | |
Состояние HW функциональное | 01 | 01 | 01 | |
Версия микропрограммных обеспечений | V7.0 | V7.0 | V7.0 | |
Проектировать с | ||||
| РАЗДЕЛ 7 V5.4 или более высоко с HSP 261 | РАЗДЕЛ 7 V5.4 или более высоко с HSP 261 | РАЗДЕЛ 7 V5.5 или более высоко с HSP 262 | |
CiR – конфигурация в БЕГЕ | ||||
Время синхронизации CiR, основная нагрузка | госпожа 100 | госпожа 100 | госпожа 100 | |
Время синхронизации CiR, время в байт I/O | 30 µs | 30 µs | 30 µs | |
Подача напряжения | ||||
Нормированная величина (DC) | ||||
| Никакой; Электропитание через электропитание системы | Никакой; Электропитание через электропитание системы | Никакой; Электропитание через электропитание системы | |
Течение входного сигнала | ||||
от DC v автобуса 5 backplane, тип. | 0,7 a | 0,9 a | 1,1 a | |
от DC v автобуса 5 backplane, максимального. | 0,8 a | 1,1 a | 1,4 a | |
от DC v автобуса 24 backplane, максимального. | 150 мам; 150 мам в интерфейс DP | 300 мам; 150 мам в интерфейс DP | 150 мам; 150 мам в интерфейс DP | |
от DC v интерфейса 5, максимального. | 90 мам; На интерфейсе DP | 90 мам; На каждом интерфейсе DP | 90 мам; На интерфейсе DP | |
Потери электропитания | ||||
Потери электропитания, тип. | 3,5 w | 4,5 w | 5,5 w | |
Потери электропитания, максимальные. | 4 w | 5,5 w | 7 w | |
Память | ||||
Тип памяти | RAM | RAM | RAM | |
Память работы | ||||
| кбайт 512 | 1 мбайт | 1 мбайт | |
| кбайт 256 | кбайт 512 | кбайт 512 | |
| кбайт 256 | кбайт 512 | кбайт 512 | |
| Никакой | Никакой | Никакой | |
Память нагрузки | ||||
| Да; с картой памяти (ВСПЫШКА) | Да; с картой памяти (ВСПЫШКА) | Да; с картой памяти (ВСПЫШКА) | |
| 64 мбайт | 64 мбайт | 64 мбайт | |
| кбайт 512 | кбайт 512 | кбайт 512 | |
| Да; с картой памяти (RAM) | Да; с картой памяти (RAM) | Да; с картой памяти (RAM) | |
| 64 мбайт | 64 мбайт | 64 мбайт | |
Резервный | ||||
| Да | Да | Да | |
| Да; все данные | Да; все данные | Да; все данные | |
| Никакой | Никакой | Никакой | |
Батарея | ||||
Резервная батарея | ||||
| µA 180; °C до 40 | µA 180; °C до 40 | µA 180; °C до 40 | |
| µA 850 | µA 850 | µA 850 | |
| Общанный с в руководством данным по модуля с вторичными условиями и факторами влияния | Общанный с в руководством данным по модуля с вторичными условиями и факторами влияния | Общанный с в руководством данным по модуля с вторичными условиями и факторами влияния | |
| DC 5 v к DC 15 v | DC 5 v к DC 15 v | DC 5 v к DC 15 v | |
Длительности процесса C.P.U. | ||||
для сдержанной деятельности, тип. | 31,25 ns | 31,25 ns | 31,25 ns | |
для деятельности слова, тип. | 31,25 ns | 31,25 ns | 31,25 ns | |
для арифметики постоянной точки, тип. | 31,25 ns | 31,25 ns | 31,25 ns | |
для арифметических операций с плавающей запятой, тип. | 62,5 ns | 62,5 ns | 62,5 ns | |
C.P.U.-блоки | ||||
DB | ||||
| 3 000; Ряд номера: 1 до 16000 | 3 000; Ряд номера: 1 до 16000 | 3 000; Ряд номера: 1 до 16000 | |
| кбайт 64 | кбайт 64 | кбайт 64 | |
FB | ||||
| 1 500; Ряд номера: 0 до 7999 | 1 500; Ряд номера: 0 до 7999 | 1 500; Ряд номера: 0 до 7999 | |
| кбайт 64 | кбайт 64 | кбайт 64 | |
FC | ||||
| 1 500; Ряд номера: 0 до 7999 | 1 500; Ряд номера: 0 до 7999 | 1 500; Ряд номера: 0 до 7999 | |
| кбайт 64 | кбайт 64 | кбайт 64 | |
OB | ||||
| см. список инструкции | см. список инструкции | см. список инструкции | |
| кбайт 64 | кбайт 64 | кбайт 64 | |
| 1; OB 1 | 1; OB 1 | 1; OB 1 | |
| 2; OB 10, 11 | 2; OB 10, 11 | 2; OB 10, 11 | |
| 2; OB 20, 21 | 2; OB 20, 21 | 2; OB 20, 21 | |
| 2; OB 32, 35 (самый короткий цикл который может быть установил = 500 µs) | 2; OB 32, 35 (самый короткий цикл который может быть установил = 500 µs) | 2; OB 32, 35 (самый короткий цикл который может быть установил = 500 µs) | |
| 2; OB 40, 41 | 2; OB 40, 41 | 2; OB 40, 41 | |
| 3; OB 55-57 | 3; OB 55-57 | 3; OB 55-57 | |
| 2; OB 61-62 | 2; OB 61-62 | 2; OB 61-62 | |
| 1; OB 60 | 1; OB 60 | 1; OB 60 | |
| 1; OB 90 | 1; OB 90 | 1; OB 90 | |
| 3; OB 100-102 | 3; OB 100-102 | 3; OB 100-102 | |
| 9; OB 80-88 | 9; OB 80-88 | 9; OB 80-88 | |
| 2; OB 121, 122 | 2; OB 121, 122 | 2; OB 121, 122 | |
Глубина гнездиться | ||||
| 24 | 24 | 24 | |
| 1 | 1 | 1 | |
Счетчики, таймеры и их retentivity | ||||
Счетчик S7 | ||||
| 2 048 | 2 048 | 2 048 | |
Retentivity | ||||
| Да | Да | Да | |
| 0 | 0 | 0 | |
| 2 047 | 2 047 | 2 047 | |
| Z 0 к z 7 | Z 0 к z 7 | Z 0 к z 7 | |
Считать ряд | ||||
| 0 | 0 | 0 | |
| 999 | 999 | 999 | |
Счетчик IEC | ||||
| Неограниченный (ограниченный только емкостью RAM) | Неограниченный (ограниченный только емкостью RAM) | Неограниченный (ограниченный только емкостью RAM) | |
Времена S7 | ||||
| 2 048 | 2 048 | 2 048 | |
Retentivity | ||||
| Да | Да | Да | |
| 0 | 0 | 0 | |
| 2 047 | 2 047 | 2 047 | |
| Отсутствие времен памятливых | Отсутствие времен памятливых | Отсутствие времен памятливых | |
Диапазон времени | ||||
| госпожа 10 | госпожа 10 | госпожа 10 | |
| 9 990 s | 9 990 s | 9 990 s | |
Таймер IEC | ||||
| Да | Да | Да | |
| SFB | SFB | SFB | |
| Неограниченный (ограниченный только емкостью RAM) | Неограниченный (ограниченный только емкостью RAM) | Неограниченный (ограниченный только емкостью RAM) | |
Места для данных и их retentivity | ||||
памятливое место для данных в итоге | Полная память деятельности и нагрузки (с резервной батареей) | Полная память деятельности и нагрузки (с резервной батареей) | Полная память деятельности и нагрузки (с резервной батареей) |