ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

Компания защищает корпоративную культуру «целостности и посвящения, прагматического нововведения, единства и сотрудничества, трудолюбия и прогресса», обращает внимание унифицированное управление, защи

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
4 лет
Главная / продукты / Infrared Photoelectric Sensor /

S8745-01 Кремниевый фотодиод с датчиком низкого шума предварительного усилителя

контакт
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissXu
контакт

S8745-01 Кремниевый фотодиод с датчиком низкого шума предварительного усилителя

Спросите последнюю цену
Видеоканал
Номер модели :S8745-01
Место происхождения :Япония
Количество минимального заказа :1
Условия оплаты :L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность к поставкам :2000 шт/месяц
Срок поставки :дни 3-5work
Упаковывая детали :В коробке
фотообласть :× 2,4 2,4 mm
Охлаждение и :Не охлажденные
Помещенный :металл
Материал :Металлические
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Описание продукта:

S8745-01 Кремниевый фотодиод с датчиком низкого шума предварительного усилителя

 

Особенности:

Фотодиоды предварительного усиления с интегрированными резисторами обратной связи и конденсаторами

S8745-01 представляет собой датчик низкого шума, состоящий из фотодиодов, операционных усилителей, резисторов обратной связи и конденсаторов, все упакованные в очень маленькую упаковку.При подключении к источнику питания он может использоваться для измерений слабого света, таких как аналитические устройства или измерительные устройства.Его светочувствительная поверхность соединена с концом GND и имеет высокую устойчивость к EMC шуму.

Особенности продукта

● Подходит для точного фотометрического определения от ультрафиолетового до ближнего инфракрасного диапазона

● Небольшая металлическая упаковка с кварцевым окном: TO-5

● Фоточувствительная область:2.4×2,4 мм

● Встроенный Rf=1 Gω Cf=5 pF

● Низкомощный оп-ампер ввода FET

Низкий уровень шума, низкий НЭП

● Внешнее сопротивление для достижения переменного прироста

● Пакет с защитной функцией

● Устойчивость к электромагнитному шуму

 

Спецификации:

Обратное напряжение (макс.) 20 В
диапазон спектральной реакции: от 190 до 1100 нм
Длина волны пиковой чувствительности (типичное значение) 960 нм
Эквивалентная мощность шума (типичное значение) 11×10-15 Вт/hz1/2
Условия измерения Тип. Ta=25 °C, F=10Hz, λ=λp, если не указано иное

S8745-01 Кремниевый фотодиод с датчиком низкого шума предварительного усилителя

Запрос Корзина 0