ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.
Компания защищает корпоративную культуру «целостности и посвящения, прагматического нововведения, единства и сотрудничества, трудолюбия и прогресса», обращает внимание унифицированное управление, защи
Add to Cart
Описание продукта:
G8370-81 InGaAs PIN фотодиод Низкая потеря зависимости от поляризации PDL
Особенности:
Низкий PDL ((поляризация зависимая потеря)
Фотодиод InGaAs PIN G8370-81 имеет низкий PDL (поляризационно-зависимые потери), большое сопротивление стерилизации и очень низкий уровень шума при 1.55Мм.
Особенности продукта
Низкий PDL ((поляризация зависимая потеря)
● Низкий уровень шума, низкий темный ток
● Большая площадь для съемки
● Отношение к светочувствительной области:φ1 мм
Эквивалентная мощность шума (типичное значение) 2×10-14 Вт/hz1/2
Условия измерения TYP.TA =25°C, фоточувствительность: λ=λp, темный ток: VR=1 V, частота прерывания:VR=1 V, RL=50ω, -3 dB, терминальная емкость: VR=1 V, F=1 MHz, если не указано иное
Спецификации:
| длина волны пиковой чувствительности (типичное значение) | 10,55 мкм |
| Чувствительность (типичное значение) | 1.1 A/W |
| Темный ток (максимальный) | 5 nA |
| Частота прерывания (типичное значение) | 35 МГц |
| Капациентность соединения (типичное значение) | 90 пФ |
| Эквивалентная мощность шума (типичное значение) | 2×10-14 Вт/hz1/2 |
