CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
8 лет
Главная / продукты / Silicon Power Transistor /

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :СОТ-89-3Л А44
Напряжение тока коллектора- база :400V
Температура соединения :℃ 150
Цтг :-55~+150℃
Материал :кремний
Течение сборника :600 mA
Диссипация силы сборника :500mW
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

СОТ-89-3Л Пластмасс-помещают ТРАНЗИСТОР транзисторов А44 (НПН)

 

 

ОСОБЕННОСТЬ
 

Низкое напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

Высокое пробивное напряжение

 

Отмечать: А44

 

 

 

МАКСИМАЛЬНЫЕ ОЦЕНКИ (Та=25℃ если не указано иное)

Символ Параметр Значение Блок
ВКБО Напряжение тока коллектора- база 400 В
ВКЭО Напряжение тока коллектор- эмиттера 400 В
ВЭБО Напряжение тока Излучател-основания 6 В
ИК Течение сборника - непрерывное 200 мамы
ИКМ Пульсированное течение сборника - 300 мамы
ПК Диссипация силы сборника 500 мВ
РθДжА Термальное сопротивление от соединения к окружающему 250 ℃/В
Тдж Температура соединения 150
Цтг Температура хранения -55~+150

 
 
 
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (Та=25℃ если не указано иное)
 

Параметр Символ Условия т ест Минута Тип Макс Блок
Пробивное напряжение коллектора- база В (БР) КБО ИК=100ΜА, Т.Е. =0 400     В
Пробивное напряжение коллектор- эмиттера В (БР) КЭО* ИК=1мА, ИБ=0 400     В
пробивное напряжение Излучател-основания В (БР) ЭБО Т.Е. =10ΜА, ИК=0 6     В
Течение выключения сборника ИКБО ВКБ=400В, Т.Е. =0     0,1 µА
Течение выключения излучателя ИЭБО ВЭБ=4В, ИК=0     0,1 µА

 

 

Увеличение ДК настоящее

хФЭ (1)* ВКЭ=10В, ИК=1мА 40      
  хФЭ (2)* ВКЭ=10В, ИК=10мА 50   200  
  хФЭ (3)* ВКЭ=10В, ИК=50мА 45      
  хФЭ (4)* ВКЭ=10В, ИК=100мА 40      

 

Напряжение тока сатурации коллектор- эмиттера

 

(Сидеть) ВКЭ *

ИК=1мА, ИБ=0.1мА     0,4 В
    ИК=10мА, ИБ=1мА     0,5 В
    ИК=50мА, ИБ=5мА     0,75 В
напряжение тока сатурации Основани-излучателя (Сидеть) ВБЭ * ИК=10мА, ИБ=1мА     0,75 В
Емкость выхода сборника Удар ВКБ=20В, Т.Е. =0, ф=1МХз     7 пФ
Входная емкость излучателя Сиб ВБЭ=0.5В, ИК=0, ф=1МХз     130 пФ

 
 
 

Типичные характеристики

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44

 


 

 
 

 

 Размеры плана пакета
 

Символ Размеры в миллиметрах Размеры в дюймах
  Минута Макс Минута Макс
А 1,400 1,600 0,055 0,063
б 0,320 0,520 0,013 0,020
б1 0,400 0,580 0,016 0,023
к 0,350 0,440 0,014 0,017
Д 4,400 4,600 0,173 0,181
Д1 1,550 РЭФ. 0,061 РЭФ.
Э 2,300 2,600 0,091 0,102
Э1 3,940 4,250 0,155 0,167
е 1,500 ТИП. 0,060 ТИПА.
е1 3,000 ТИП. 0,118 ТИПА.
Л 0,900 1,200 0,035 0,047

 
 
 Предложенный СОТ-89-3Л план пусковой площадки

 

Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44
 
Лента и вьюрок СОТ-89-3Л
Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44
Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44
Напряжение тока коллектора- база 400В транзистора силы НПН кремния СОТ-89-3Л А44
 
 
 

Запрос Корзина 0