CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
8 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

Спросите последнюю цену
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Срок поставки :1 до 2 недели
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Номер модели :ХСИ4616
Название продукта :транзистор силы mosfet
Тип :Транзистор Mosfet
Удостоверение личности продукта :20Г04С
ВДС :40V
Особенности :Поверхностный пакет держателя
ВГС :±20V
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ ХСИ4616 30В комплементарный

 

Описание

 

Выдвинутые пользы ХСИ4616 вскапывают технологию к провидеексселлент РДС (ДАЛЬШЕ) и низкой обязанности ворот. Тхискомплементары н и п направляет конфигуратионис МОСФЭТ идеальные для низких применений инвертора ввода напряжения.

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

 

Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный

 

 

Характеристики Н-канала электрические (Т=25°К если не указано иное)
 
 
Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный
 

А. Значение θДЖА р измерено с прибором установленным на 1ин а =25°К. значение в любом, который дали применении зависит от доски доски десинь.2 ФР-4 потребителя специфической с 2оз. Омедняйте, в неподвижной окружающей среде воздуха с т

Б. Диссипация силы пд основана на тдж(МАКСЕ) =150°К, используя сопротивление ≤ 10с соединени-к-окружающее термальное. К. повторяющийся оценка, ширина ИМПа ульс ограничиваемая оценками температуры соединения тдж(МАКСА) =150°К. основана на низкочастотном и кругах обязаностей для того чтобы держать инитялТДЖ=25°К.

Д. ΘДЖА р сумма термального импеданса от соединения для того чтобы привестиθДЖЛ р и привести к окружающему.

Э. Статические характеристики в диаграммах 1 до 6 получены используя <300>

Ф. Эти кривые основаны на соединени-к-окружающем термальном импедансе который измерен с прибором установленным на доске 1ин2 ФР-4 с 2оз. Омедняйте, принимающ что максимальная температура соединения тдж(МАКСА) =150°К. кривая СОА обеспечивает одиночное Г. ратин ИМПа ульс.

 

Н-канал: ТИПИЧНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ТЕРМАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
 
 
Транзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарныйТранзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарныйТранзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарныйТранзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарныйТранзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарныйТранзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарныйТранзистор уровня логики ХСИ4616, высоковольтный МОСФЭТ транзистора 30В комплементарный
Запрос Корзина 0