CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
8 лет
Главная / продукты / Mos Field Effect Transistor /

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

Спросите последнюю цену
Номер модели :19П03 Д-У-В
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :переговоров
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :Н печатает транзистор
В напряжение тока Сток-источника ДСС :-30 в
В напряжение тока Ворот-источника ГСС :±20 в
Температура соединения т дж максимальная :°К 150
Диапазон температур хранения т СТГ :°C -55 до 150
И источник с Настоящ-непрерывный (диод тела) :-90 а
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

 

Н печатает введение транзистора

 

МОСФЭТ силы особый тип транзистора влияния поля полупроводника металлической окиси. Он специально конструирован для регуляции высокопоставленных сил. МОСФЭТ силы построены в конфигурации в. Поэтому, она также вызвана как В-МОСФЭТ, ВФЭТ. Символы МОСФЭТ силы канала Н- & канала П- показаны в внизу диаграмме.

 

Н печатает особенность транзистора


-30В/-90А
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = 4.8мΩ (тип.) @В ГС = 10В
Р ДС (ДАЛЬШЕ) = 6.5мΩ (тип.) @В ГС = 4.5В
испытанная лавина 100%
Надежный и изрезанный
Неэтилированные и зеленые приборы
Доступный (РоХС уступчивое)

 

Н печатает применения транзистора


Применение переключения

Управление силы для систем инвертора.

 

Приказывая и отмечать информация

 

Д У В
19П03 19П03 19П03
ИИСССДЖВВ Г ИИСССДЖВВ Г ИИСССДЖВВ Г
Код пакета
Д: ТО-252-2Л У: ТО-251-3Л В: ТО-251-3С
Материал собрания кода даты
ИИССС ВВ Г: Галоид освобождает

 

Примечание: Продукты ХУАИИ неэтилированные содержат литьевые массы/умирают материалы присоединения и плита олова штейна 100%
Финиш прекращения; что полно уступчивы с РоХС. Продукты ХУАИИ неэтилированные встречают или превышают руководство
Свободные требования ИПК/ДЖЭДЭК ДЖ-СТД-020 для классификации МСЛ на неэтилированной пиковой температуре рефлов.
ХУАИИ определяет «зеленый цвет» для того чтобы значить неэтилированное (РоХС уступчивое) и галоид свободный (Бр или Кл не превышают
900ппм по весу в однородных материале и итоге Бр и Кл не превышает 1500ппм по весу).
ХУАИИ резервирует право сделать изменения, коррекции, повышения, изменения, и импровеме нц к
этот продукт и/или к этому документу в любое время без предварительного уведомления.

 

Абсолютный максимум оценок

 

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

Примечание: * повторяющийся оценка; ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.
** Поверхность установленная на доске ФР-4.
*** Ограничиваемое т дж максимальным, начинающ т дж =25°К, л = 0.3мХ, р г = 25Ω, в ГС =10В.

 

Электрические характеристики (Тк =25°К если не указано иное)

 

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

 

Электрические характеристики (Конт.) (Тк =25°К если не указано иное)

 

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

 

Примечание: тест *Пульсе; ≤ 300ус ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей

 

П направляет тип транзистор н, Мосфет силы 19П03 Д-У-В высоковольтный

 

Запрос Корзина 0