CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co.,Ltd Our electronic components semiconductor is your most correct choice, because we are professional, honest, high quality, low price

Manufacturer from China
Активный участник
8 лет
Главная / продукты / Mosfet Power Transistor /

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

контакт
CO. электроники Шэньчжэня Hua Xuan Yang, Ltd
Город:shenzhen
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrDavid Lee
контакт

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

Спросите последнюю цену
Номер модели :4N60
Место происхождения :Шэньчжэнь Китай
Количество минимального заказа :1000-2000 ПК
Термины компенсации :Соединение Л/К Т/Т западное
Способность поставкы :18,000,000ПКС/в день
Срок поставки :1 до 2 недели
Упаковывая детали :Положенный в коробку
Название продукта :транзистор силы mosfet
Применение :Управление силы
Функция :Превосходный РДС (дальше)
Транзистор Mosfet силы :МОСФЭТ силы режима повышения
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

МОСФЭТ силы 2Н60-ТК3

2А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

 

ОПИСАНИЕ

УТК 4Н60-Р высоковольтный МОСФЭТ силы и конструирован для того чтобы иметь лучшие характеристики, как быстрое время переключения, низкая обязанность ворот, низкое сопротивление на-государства и иметь характеристики высокие изрезанные лавины. Этот МОСФЭТ силы обычно используемые на высокой скорости переключая применения в управлениях электропитаний, мотора ПВМ, высоком эффективном ДК к конвертерам ДК и мостиковых схемах.

 

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

 

ОСОБЕННОСТИ

* РДС(ДАЛЬШЕ)< 2=""> ГС = 10 В

* быстрая возможность переключения

* определенная энергия лавины

* улучшенная возможность дв/дт, высокая пересеченность

 

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

УПОРЯДОЧЕНИЕ ИНФОРМАЦИИ

Порядковый номер Пакет Штыревая идентификация Паковать
Неэтилированный Галоид освобождает 1 2 3
4Н60Л-ТФ1-Т 4Н60Г-ТФ1-Т ТО-220Ф1 Г Д С Трубка

Примечание: Штыревая идентификация: Г: Ворота д: Сток с: Источник

 

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

АБСОЛЮТНЫЙ МАКСИМУМ ОЦЕНОК н (тк = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ОЦЕНКИ БЛОК
Напряжение тока Сток-источника ВДСС 600 В
Напряжение тока Ворот-источника ВГСС ±30 В
Течение лавины (примечание 2) ИАР 4 А
Стеките течение Непрерывный ИД 4,0 А
  Пульсированный (примечание 2) ИДМ 16 А
Энергия лавины Определите пульсированный (примечание 3) ЭАС 160 мДж
Выступите спасение дв/дт диода (примечание 4) дв/дт 4,5 В/нс
Диссипация силы ПД 36 В
Температура соединения ТДж +150 °С
Рабочая температура ТОПР -55 | +150 °С
Температура хранения ТСТГ -55 | +150 °С

Примечания: 1. абсолютный максимум оценок те значения за которыми прибор смог постоянно быть поврежден.

Абсолютный максимум оценок оценки стресса только и функциональная деятельность прибора не подразумевается.

4. Повторяющийся оценка: Ширина ИМПа ульс ограничиваемая максимальной температурой соединения.

5. Л = 84мХ, ИКАК =1.4А, вДД = 50В, рг = Ω 25 начиная тдж = 25°К

6. И ≤ 2.0АСД, ди/дт ≤200А/μс, ДД ≤БВДСС В, начиная тдж = 25°К

ТЕПЛОВЫЕ ДАННЫЕ

ПАРАМЕТР СИМВОЛ ОЦЕНКИ БЛОК
Соединение к окружающему θДжА 62,5 °С/В
Соединение к случаю θДжк 3,47 °С/В

 

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ (тдж = 25°С, если не указано иное)

 

ПАРАМЕТР СИМВОЛ УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ МИНУТА ТИП МАКС БЛОК
С ХАРАКТЕРИСТИК
Пробивное напряжение Сток-источника БВДСС ВГС=0В, ИД=250μА 600     В
Течение утечки Сток-источника ИДСС ВДС=600В, ВГС=0В     10 μА
    ВДС=480В, ТК=125°С     100 µА
Течение утечки Ворот-источника Передний ИГСС ВГС=30В, ВДС=0В     100 нА
  Обратный   ВГС=-30В, ВДС=0В     -100 нА
Коэффициент температуры пробивного напряжения △БВДСС/△ТДЖ ИД=250μА, ссылаться на к 25°К   0,6   В/°С
НА ХАРАКТЕРИСТИКАХ
Напряжение тока порога ворот ВГС (ТХ) ВДС=ВГС, ИД=250μА 3,0   5,0 В
Статическое сопротивление На-государства Сток-источника РДС (ДАЛЬШЕ) ВГС=10 В, ИД=2.2А   2,3 2,5
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИНАМИЧЕСКОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ
Входная емкость КИСС

 

ВДС =25В, вГС=0В, ф =1МХз

  440 670 пФ
Емкость выхода КОСС     50 100 пФ
Обратная емкость передачи КРСС     6,8 20 пФ
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ
Турн-Он время задержки тД (ДАЛЬШЕ)

 

ВДД=30В, ИД=0.5А, рГ=25Ω

(Примечание 1, 2)

  45 60 нс
Турн-Он время восхода тр     35 55 нс
Время задержки поворота- тД ()     65 85 нс
Время падения поворота- тф     40 60 нс
Полная обязанность ворот КГ ВДС=50В, ИД=1.3А, ИД=100μА вГС=10В (примечание 1, 2)   15 30 нК
Обязанность Ворот-источника КГС     5   нК
Обязанность Ворот-стока КГД     15   нК
ОЦЕНКИ И ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДА СТОКА ИСТОЧНИКА
Пропускное напряжение диода Сток-источника ВСД ВГС=0В, ИС=4.4А     1,4 В
Максимальный непрерывный пропускной ток диода Сток-источника ИС       4,4 А

Максимум пульсировал диод Сток-источника

Пропускной ток

ИЗМ       17,6 А
Обратное время восстановления трр

ВГС=0 В, ИС=4.4А,

дИФ/дт=100 А/μс (примечание 1)

  250   нс
Обратная обязанность спасения КРР     1,5   μК

Примечания: 1. тест ИМПа ульс: ≤ 300µс ширины ИМПа ульс, ≤ 2% круга обязаностей.

  • Существенно независимый рабочей температуры.

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

4Н60 - Р 4А, МОСФЭТ СИЛЫ Н-КАНАЛА 600В

 

 

Запрос Корзина 0