продукты Поставщики Sign in Register

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Поставщик решений для электросемипроводниковой системы

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Low Voltage MOSFET / Высокоэффективный низкий потеря мощности низкое напряжение MOSFET траншея/SGT процесс /

show pictures

Категории продукта

MOSFET наивысшей мощности

 [20]

МОП-транзистор из карбида кремния

 [20]

Сверхсоединение MOSFET

 [20]

Силиконовый карбид SBD

 [27]

Высоковольтный MOSFET

 [40]

МОП-транзистор низкого напряжения

 [40]

IGBT высокой мощности

 [10]

Диоды барьера Schottky

 [10]

Полупроводники высокой мощности

 [20]

Силовой полупроводник SIC

 [10]

Угловой шаровой подшипник контакта

 [1]
контакт
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:dongguan
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsJoan Tian
контактная информация
контакт

Высокоэффективный низкий потеря мощности низкое напряжение MOSFET траншея/SGT процесс
Высокоэффективный низкий потеря мощности низкое напряжение MOSFET траншея/SGT процесс
  • Высокоэффективный низкий потеря мощности низкое напряжение MOSFET траншея/SGT процесс
продукты подробные
Описание продукта: Низковольтный MOSFET - это высокоэффективное, надежное и универсальное полупроводниковое устройство, предназначенное для удовлетвор...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
диод отказового напряжения Ударная сверла мощностью 550 Вт ровный мосфет

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4