Категории продукта

MOSFET наивысшей мощности

[50]

МОП-транзистор из карбида кремния

[20]

Сверхсоединение MOSFET

[20]

Силиконовый карбид SBD

[27]

Высоковольтный MOSFET

[40]

МОП-транзистор низкого напряжения

[40]

IGBT высокой мощности

[10]

Диоды барьера Schottky

[10]

Полупроводники высокой мощности

[20]

Силовой полупроводник SIC

[10]

Угловой шаровой подшипник контакта

[1]

контакт

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Город:dongguan

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrMarco Ye

контактная информация

контакт

Стабильный SIC высокопроизводительный полупроводник типа N

продукты подробные

Высокопроизводительный Си-Си полупроводник - беспрецедентная производительность и эффективность *, *::before, *::after {box-sizing: border-box;}* ...

список продуктов, подробные →

Метки товара:

Сик нагревательный элемент Сик отопительные элементы Сик теплопроводность

show pictures

MOSFET наивысшей мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Сверхсоединение MOSFET

Силиконовый карбид SBD

Высоковольтный MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

IGBT высокой мощности

Диоды барьера Schottky

Полупроводники высокой мощности

Силовой полупроводник SIC

Угловой шаровой подшипник контакта

Стабильный SIC высокопроизводительный полупроводник типа N