продукты Поставщики Sign in Register

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Поставщик решений для электросемипроводниковой системы

Manufacturer from China
Проверенные Поставщика
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / High Power IGBT / Многофункциональный энерготранзистор и IGBT высокое напряжение 1200V 40A /

show pictures

Категории продукта

MOSFET наивысшей мощности

 [20]

МОП-транзистор из карбида кремния

 [20]

Сверхсоединение MOSFET

 [20]

Силиконовый карбид SBD

 [27]

Высоковольтный MOSFET

 [40]

МОП-транзистор низкого напряжения

 [40]

IGBT высокой мощности

 [10]

Диоды барьера Schottky

 [10]

Полупроводники высокой мощности

 [20]

Силовой полупроводник SIC

 [10]

Угловой шаровой подшипник контакта

 [1]
контакт
Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
Посетите вебсайт
Город:dongguan
Область/Штат:guangdong
Страна/регион:china
Контактное лицо:MrsJoan Tian
контактная информация
контакт

Многофункциональный энерготранзистор и IGBT высокое напряжение 1200V 40A
Многофункциональный энерготранзистор и IGBT высокое напряжение 1200V 40A
  • Многофункциональный энерготранзистор и IGBT высокое напряжение 1200V 40A
продукты подробные
Описание продукта: Высокомощный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) - это высокомощный биполярный транзистор с высокой плотностью тока, быстрой с...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
высокомощный ИГБТ Мосфетный транзистор питания Модуль IGBT высокой мощности

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4