Категории продукта

MOSFET наивысшей мощности

[20]

МОП-транзистор из карбида кремния

[20]

Сверхсоединение MOSFET

[20]

Силиконовый карбид SBD

[27]

Высоковольтный MOSFET

[40]

МОП-транзистор низкого напряжения

[40]

IGBT высокой мощности

[10]

Диоды барьера Schottky

[10]

Полупроводники высокой мощности

[20]

Силовой полупроводник SIC

[10]

Угловой шаровой подшипник контакта

[1]

контакт

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.

Посетите вебсайт

Город:dongguan

Область/Штат:guangdong

Страна/регион:china

Контактное лицо:MrsJoan Tian

контактная информация

контакт

Двигатель низкого напряжения Fet стабильный для высокочастотного переключателя

продукты подробные

Высокая способность EAS Низкий Rds ((ON) MOSFET для применения высокочастотных коммутаторов *, *::before, *::after {box-sizing: border-box; } * ...

список продуктов, подробные →

Метки товара:

переключенный мотор нежелания высокоскоростной коммутаторный транзистор цепь драйверов реле твердого состояния

show pictures

MOSFET наивысшей мощности

МОП-транзистор из карбида кремния

Сверхсоединение MOSFET

Силиконовый карбид SBD

Высоковольтный MOSFET

МОП-транзистор низкого напряжения

IGBT высокой мощности

Диоды барьера Schottky

Полупроводники высокой мощности

Силовой полупроводник SIC

Угловой шаровой подшипник контакта

Двигатель низкого напряжения Fet стабильный для высокочастотного переключателя