Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
Поставщик решений для электросемипроводниковой системы
Add to Cart
Низкое напряжение MOSFET процесса траншеи Беспроводное зарядное устройство Высокая способность EAS
Низковольтный MOSFET - это тип MOSFET, который оптимизирован для использования в приложениях, требующих низкого напряжения и низкого сопротивления.Это передовое полупроводниковое устройство, которое использует как траншеи процесса и SGT технологий процесса для превосходных показателейПроцесс SGT является идеальной технологией для таких приложений, как двигатели, базовые станции 5G, хранение энергии, высокочастотный коммутатор и синхронная ректификация.Он имеет прорывную оптимизацию FOM и охватывает больше приложенийС другой стороны, технология траншейного процесса оптимизирована для небольших RSP и может свободно комбинироваться и использоваться как в серийной, так и в параллельной конфигурации.Низковольтный MOSFET - идеальный выбор для беспроводной зарядки, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока / постоянного тока, высокочастотный переключатель и синхронная ректификация, из-за его низкого Rds ((ON) и низкого напряжения входа.
| Наименование продукта | Низковольтный MOSFET |
|---|---|
| Процесс структуры | Тренч/СГТ |
| Сопротивление | Низкий Rds ((ON) |
| Потребление энергии | Низкая потеря мощности |
| Эффективность | Высокая эффективность и надежность |
| Способность EAS | Высокая способность EAS |
| Преимущества траншеи | Меньшие RSP, как серийные, так и параллельные конфигурации могут свободно комбинироваться и использоваться. |
| Применение траншейного процесса | Беспроводная зарядка, быстрая зарядка, драйвер двигателя, преобразователь постоянного тока/ постоянного тока, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция. |
| Преимущества процесса SGT | Прорыв в оптимизации FOM, охватывающий больше приложений. |
| Применение процесса СГТ | Двигатель, базовая станция 5G, хранилище энергии, высокочастотный переключатель, синхронная коррекция. |
REASUNOS низковольтный MOSFET - это продукт из Гуандун, Китай. У него конкурентная цена, которая подтверждается на основе продукта. Упаковка пылестойкая, водонепроницаемая и антистатическая,и помещается в картонную коробку в картонных коробкахВремя доставки составляет от 2-30 дней, в зависимости от общего количества.Структурный процесс либо траншея, либо SGT, с траншеи процесса, имеющий преимущества меньшего RSP, и как серийные и параллельные конфигурации, которые могут быть свободно объединены и использованы.Процесс SGT имеет преимущества прорывной оптимизации FOM, и охватывает больше приложений, таких как драйвер двигателя, базовая станция 5G, хранение энергии, переключатель высокой частоты, синхронная коррекция.
Низковольтные MOSFET-продукты поставляются с широким спектром технической поддержки и услуг.Мы предоставляем клиентам необходимые ресурсы, чтобы помочь им достичь оптимальных результатов с их низковольтных продуктов MOSFETК этим услугам относятся:
Низковольтная упаковка и доставка MOSFET следуют стандартному процессу упаковки и доставки. Продукт упаковывается в безопасный для ESD статично-диссипативный пакет и помещается в антистатическую коробку.Затем коробку закрепляют пузырьком и помещают в картонную коробку.Посылка отправляется через надежную службу доставки. Посылка отправляется по адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу, адресу.