Главная / продукты / Integrated Circuit IC Chip /

MOSFET T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C680NLT1G

Категории продукта

Микроконтроллер IC

Обломок IC интегральной схемаы

Обломок IC флэш-памяти

Programmable обломок IC

Обломок IC водителя СИД

Компьютер IC откалывает

Сенсорная панель IC

Модуль силы IGBT

Жесткий диск SSD

Блок микроконтроллера MCU

Небольшие реле сигнала

Обломоки управления силы

Вентильная матрица поля Programmable

Обломоки интегральной схемаы

контакт

CO. ТЕХНОЛОГИИ QIN XIN (ГОНКОНГА) ЭЛЕКТРОННОЕ, ОГРАНИЧИВАЛОСЬ

Страна/регион:china

Контактное лицо:sales

контактная информация

контакт

China MOSFET T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C680NLT1G wholesale

China MOSFET T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C680NLT1G wholesale

MOSFET T6 60V LL S08FL DS NVMFD5C680NLT1G

Спросите последнюю цену

Номер модели :NVMFD5C680NLT1G

Количество минимального заказа :1500

Условия оплаты :T/T

Упаковывая детали :Коробка packging

Полярность транзистора :N-канал

Количество каналов :Канал 2

Vds - пробивное напряжение Сток-источника :60 v

ID - Непрерывное течение стока :26 a

Rds на - сопротивлении Сток-источника :23 mOhms, 23 mOhms

Vgs - напряжение тока Ворот-источника :- 20 V, + 20 V

more

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Атрибут продукта	Атрибут со значением	Отборный атрибут
Изготовитель:	onsemi
Категория продукта:	MOSFET
Технология:	Si
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	SO-8FL-Dual-8
Полярность транзистора:	N-канал
Количество каналов:	Канал 2
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	60 v
Id - непрерывное течение стока:	26 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	23 mOhms, 23 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 20 V, + 20 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:	1,2 v
Qg - обязанность ворот:	5 nC
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 175 c
Pd - диссипация силы:	19 w
Режим канала:	Повышение
Квалификация:	AEC-Q101
Серия:	NVMFD5C680NL
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Бренд:	onsemi
Конфигурация:	Двойной
Время падения:	23 ns, 23 ns
Передний Transconductance - минута:	50 S, 50 S
Тип продукта:	MOSFET
Время восхода:	25 ns, 25 ns
	1500

Метки товара:

mosfet stw20nm50fd

mosfet number

4435 mosfet

Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4