Атрибут продукта	Атрибут со значением	Отборный атрибут
Изготовитель:	onsemi
Категория продукта:	MOSFET
RoHS:	Детали
Технология:	Si
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	SOIC-8
Полярность транзистора:	P-канал
Количество каналов:	1 канал
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	30 v
Id - непрерывное течение стока:	8,8 a
Rds на - сопротивлении Сток-источника:	16 mOhms
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 25 V, + 25 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:	3 v
Qg - обязанность ворот:	40 nC
Минимальная рабочая температура:	- 55 c
Максимальная рабочая температура:	+ 150 c
Pd - диссипация силы:	2,5 w
Режим канала:	Повышение
Фирменное название:	PowerTrench
Серия:	FDS4435BZ
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Упаковка:	MouseReel
Бренд:	onsemi/Фэйрчайлд
Конфигурация:	Одиночный
Время падения:	38 ns
Передний Transconductance - минута:	24 s
Высота:	1,75 mm
Длина:	4,9 mm
Тип продукта:	MOSFET
Время восхода:	13 ns
	2500

Метки товара:

6a10 diode

trench mosfet

Запрос Корзина 0

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9