CO. ТЕХНОЛОГИИ QIN XIN (ГОНКОНГА) ЭЛЕКТРОННОЕ, ОГРАНИЧИВАЛОСЬ

Winning doesn't have to have capital, but to give up will lose

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / LED Driver IC Chip /

Сила канала 500mV 30V RF n транзисторов MOSFET AFT05MS003NT1

контакт
CO. ТЕХНОЛОГИИ QIN XIN (ГОНКОНГА) ЭЛЕКТРОННОЕ, ОГРАНИЧИВАЛОСЬ
Страна/регион:china
Контактное лицо:sales
контакт

Сила канала 500mV 30V RF n транзисторов MOSFET AFT05MS003NT1

Спросите последнюю цену
Номер модели :AFT05MS003NT1
Количество минимального заказа :1
Условия оплаты :T/T
Способность поставки :дни 10000+3-5work
Срок поставки :3-5 дней работы
Упаковывая детали :SOT-89-3, Раскроенная лента, вьюрок
Категория продукта :Транзисторы MOSFET RF
Полярность транзистора :N-канал
Пакет/случай :SOT-89-3
Количество каналов :1 канал
Равочая частота :1,8 MHz к 941 MHz
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Сила канала 500mV 30V RF n транзисторов MOSFET AFT05MS003NT1

AFT05MS003NT1, , транзисторы MOSFET RF, N-канал, - 500 mV, 30 v, MOSFET силы RF, 1,8 MHz к 941 MHz, 20,8 dB, SOT-89-3

Атрибут продукта Атрибут со значением
Транзисторы MOSFET RF
N-канал
Si
2,6 a
- 500 mV, 30 v
1,8 MHz к 941 MHz
dB 20,8
3,2 w
- 40 c
+ 150 c
SMD/SMT
SOT-89-3
Вьюрок
Раскроенная лента
Бренд: Полупроводники
Количество каналов: 1 канал
Pd - диссипация силы: 30,5 w
Тип продукта: Транзисторы MOSFET RF
Subcategory: MOSFETs
Тип: MOSFET силы RF
Vgs - напряжение тока Ворот-источника: - 6 V, 12 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника: 2,2 v
Часть # псевдонимы: 935312585147
Вес блока: 0,001792 oz
Запрос Корзина 0