Сила канала 500mV 30V RF n транзисторов MOSFET AFT05MS003NT1

Спросите последнюю цену

Номер модели :AFT05MS003NT1

Количество минимального заказа :1

Условия оплаты :T/T

Способность поставки :дни 10000+3-5work

Срок поставки :3-5 дней работы

Упаковывая детали :SOT-89-3, Раскроенная лента, вьюрок

Категория продукта :Транзисторы MOSFET RF

Полярность транзистора :N-канал

Пакет/случай :SOT-89-3

Количество каналов :1 канал

Равочая частота :1,8 MHz к 941 MHz

контакт

Add to Cart

Посмотреть описание продукта

Сила канала 500mV 30V RF n транзисторов MOSFET AFT05MS003NT1

AFT05MS003NT1, , транзисторы MOSFET RF, N-канал, - 500 mV, 30 v, MOSFET силы RF, 1,8 MHz к 941 MHz, 20,8 dB, SOT-89-3

Атрибут продукта	Атрибут со значением
Изготовитель:
Категория продукта:	Транзисторы MOSFET RF
Полярность транзистора:	N-канал
Технология:	Si
Id - непрерывное течение стока:	2,6 a
Vds - пробивное напряжение Сток-источника:	- 500 mV, 30 v
Равочая частота:	1,8 MHz к 941 MHz
Увеличение:	dB 20,8
Сила выхода:	3,2 w
Минимальная рабочая температура:	- 40 c
Максимальная рабочая температура:	+ 150 c
Устанавливать стиль:	SMD/SMT
Пакет/случай:	SOT-89-3
Упаковка:	Вьюрок
Упаковка:	Раскроенная лента
Бренд:	Полупроводники
Количество каналов:	1 канал
Pd - диссипация силы:	30,5 w
Тип продукта:	Транзисторы MOSFET RF
Subcategory:	MOSFETs
Тип:	MOSFET силы RF
Vgs - напряжение тока Ворот-источника:	- 6 V, 12 V
Th Vgs - напряжение тока порога Ворот-источника:	2,2 v
Часть # псевдонимы:	935312585147
Вес блока:	0,001792 oz

ИС микроконтроллера