продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты /

Транзистор влияния поля

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
1 - 10 из 1600

 Транзистор влияния поля
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля NTZD3154NT1G

Спецификации NTZD3154NT1G Состояние части Активный Тип FE
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-GE3

Спецификации SI7216DN-T1-GE3 Состояние части Активный Тип
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-E3 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7216DN-T1-E3

Спецификации SI7216DN-T1-E3 Состояние части Активный Тип
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BUK7K6R2-40EX for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BUK7K6R2-40EX

Спецификации BUK7K6R2-40EX Состояние части Активный Тип F
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7272DP-T1-GE3 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7272DP-T1-GE3

Спецификации SI7272DP-T1-GE3 Состояние части Активный Тип
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7288DP-T1-GE3 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7288DP-T1-GE3

Спецификации SI7288DP-T1-GE3 Состояние части Активный Тип
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4288DY-T1-GE3 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI4288DY-T1-GE3

Спецификации SI4288DY-T1-GE3 Состояние части Активный Тип
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7228DN-T1-GE3 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля SI7228DN-T1-GE3

Спецификации SI7228DN-T1-GE3 Состояние части Активный Тип
контакт

Add to Cart
China BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля for sale

BUK9K29-100E, 115 массивов MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля

BUK9K29-100E, 115 спецификаций Состояние части Активный Т
контакт

Add to Cart
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDS8958A_F085 for sale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDS8958A_F085

Спецификации FDS8958A_F085 Состояние части Активный Тип F
контакт

Add to Cart
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4