продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / IGBT Power Module /

Транзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночное

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Транзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночное wholesale
  • China Транзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночное wholesale

Транзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночное
Спросите последнюю цену
Номер детали :HGTG5N120BND
Изготовитель :Полупроводник Fairchild/ON
Описание :IGBT 1200V 21A 167W TO247
Категория :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации HGTG5N120BND

Состояние части Не для новых дизайнов
Тип IGBT NPT
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) 1200V
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) 21A
Настоящий - пульсированный сборник (Icm) 40A
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 5A
Сила - Макс 167W
Переключая энергия 450µJ (дальше), 390µJ ()
Тип входного сигнала Стандарт
Обязанность ворот 53nC
Td (включено-выключено) @ 25°C 22ns/160ns
Условие испытаний 960V, 5A, 25 омов, 15V
Обратное время восстановления (trr) 65ns
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Через отверстие
Пакет/случай TO-247-3
Пакет прибора поставщика TO-247
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка HGTG5N120BND

Обнаружение

Транзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы HGTG5N120BND IGBT одиночное

Метки товара:

power igbt datasheet

transistor igbt

power module igbt
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4