продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / IGBT Power Module /

Транзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночное

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Транзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночное wholesale
  • China Транзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночное wholesale

Транзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночное
Спросите последнюю цену
Номер детали :FGD3N60LSDTM
Изготовитель :Полупроводник Fairchild/ON
Описание :IGBT 600V 6A 40W DPAK
Категория :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Семья :Транзисторы - IGBTs - одиночные
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации FGD3N60LSDTM

Состояние части Активный
Тип IGBT -
Напряжение тока - нервное расстройство коллектор- эмиттера (Макс) 600V
Настоящий - сборник (Ic) (Макс) 6A
Настоящий - пульсированный сборник (Icm) 25A
Vce (дальше) (Макс) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Сила - Макс 40W
Переключая энергия 250µJ (дальше), 1mJ ()
Тип входного сигнала Стандарт
Обязанность ворот 12.5nC
Td (включено-выключено) @ 25°C 40ns/600ns
Условие испытаний 480V, 3A, 470 омов, 10V
Обратное время восстановления (trr) 234ns
Рабочая температура -
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай TO-252-3, DPak (2 руководства + платы), SC-63
Пакет прибора поставщика D-Пак
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка FGD3N60LSDTM

Обнаружение

Транзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночноеТранзисторы IGBTs модуля силы FGD3N60LSDTM IGBT одиночное

Метки товара:

transistor igbt

high power igbt module

mosfet igbt
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4