KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные

контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контакт

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные

Спросите последнюю цену
Номер детали :DMS3014SSS-13
Изготовитель :Включаемые диоды
Описание :MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации DMS3014SSS-13

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 10.4A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.2V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 45.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 2296pF @ 15V
Vgs (Макс) -
Особенность FET Диод Schottky (тело)
Диссипация силы (Макс) 1.55W (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 13 mOhm @ 10.4A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика 8-SO
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMS3014SSS-13

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные

Запрос Корзина 0