продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные wholesale
  • China MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные wholesale

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные
Спросите последнюю цену
Номер детали :DMS3014SSS-13
Изготовитель :Включаемые диоды
Описание :MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации DMS3014SSS-13

Состояние части Активный
Тип FET N-канал
Технология MOSFET (металлическая окись)
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 10.4A (животики)
Напряжение тока привода (максимальный Rds дальше, минимальный Rds дальше) -
Id Vgs (th) (Макс) @ 2.2V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 45.7nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 2296pF @ 15V
Vgs (Макс) -
Особенность FET Диод Schottky (тело)
Диссипация силы (Макс) 1.55W (животики)
Rds на (Макс) @ id, Vgs 13 mOhm @ 10.4A, 10V
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет прибора поставщика 8-SO
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMS3014SSS-13

Обнаружение

MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночныеMOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMS3014SSS-13 одиночные

Метки товара:

sot 23 mosfet

sot223 mosfet

sot23 mosfet
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4