KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130U

контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контакт

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130U

Спросите последнюю цену
Номер детали :BLL8H0514L-130U
Изготовитель :Ampleon США Inc.
Описание :FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A RF
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart

Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации BLL8H0514L-130U

Состояние части Активный
Тип транзистора LDMOS
Частота 1.2GHz | 1.4GHz
Увеличение 17dB
Напряжение тока - тест 50V
Настоящая оценка -
Диаграмма шума -
Настоящий - тест 50mA
Сила - выход 130W
Расклассифицированное напряжение тока - 100V
Пакет/случай SOT-1135A
Пакет прибора поставщика CDFM2
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка BLL8H0514L-130U

Обнаружение

Обломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130UОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130UОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130UОбломок RF MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BLL8H0514L-130U

Запрос Корзина 0