продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03
Спросите последнюю цену
Номер детали :BSO350N03
Изготовитель :Технологии Infineon
Описание :MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Серия :OptiMOS™
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации BSO350N03

Состояние части Устарелый
Тип FET N-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 5A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 35 mOhm @ 6A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 2V @ 6µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 3.7nC @ 5V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 480pF @ 15V
Сила - Макс 1.4W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пакет прибора поставщика PG-DSO-8
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка BSO350N03

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля BSO350N03

Метки товара:

npn transistor array

pnp transistor array

darlington transistor array
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4