продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor / Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C /

show pictures

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
  • Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля FDG6321C
продукты подробные
Спецификации FDG6321C Состояние части Активный Тип FET N и P-канал Особенность FET Ворота уровня логики Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 25V ...
список продуктов, подробные →
Метки товара:
массив транзисторов pnp npn транзисторный массив ИГБТ насыщенное напряжение

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2026 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4