продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Spot supplier in China,YJDN TECHNOLOGY CO., Ltd was established in 2008. One of the largest electronic components distributors in Hongkong and Shenzhen, China.YDJN provides a full range of services

Manufacturer from China
Активный участник
3 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами просят квоту
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7

Категории продукта

Интегральные схемаы ICS

 [3000]

Обломок IC памяти

 [3000]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2527]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [3000]

Транзистор влияния поля

 [1828]

Модуль силы IGBT

 [1002]

Триод диода

 [303]

Общецелевой конденсатор

 [41]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [100]

Компонент реле

 [203]

Взрыватели защиты сети

 [195]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7 wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7 wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7
Спросите последнюю цену
Номер детали :DMN32D2LDF-7
Изготовитель :Включаемые диоды
Описание :MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации DMN32D2LDF-7

Состояние части Активный
Тип FET Общедоступный источник 2 N-каналов (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 30V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 400mA
Rds на (Макс) @ id, Vgs 1,2 ома @ 100mA, 4V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1.2V @ 250µA
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs -
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 39pF @ 3V
Сила - Макс 280mW
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Пакет прибора поставщика SOT-353
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка DMN32D2LDF-7

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля DMN32D2LDF-7

Метки товара:

npn transistor array

pnp transistor array

junction field effect transistor
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4