продукты Поставщики Sign in Register

KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Установил поставщика пятна в Китае, CO. ТЕХНОЛОГИИ YJDN, Ltd в 2008. Один из самых больших раздатчиков электронных блоков в Гонконге и Шэньчжэне, China.YDJN обеспечивает полный разряд обслуживания для

Manufacturer from China
Активный участник
4 лет
Главная продукты. Профиль Компании Контроль качества Свяжитесь с нами Запрос цены:
Русский язык
Главная / продукты / Field Effect Transistor /

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA

Категории продукта

Интегральные микросхемы

 [2722]

Микросхема памяти

 [2976]

Сетноой-аналогов амортизатор IC

 [2489]

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

 [2668]

Полевой транзистор

 [1586]

Силовой модуль БТИЗ

 [963]

Триод диода

 [291]

Общецелевой конденсатор

 [40]

Соединения соединителей

 [83]

Индуктор силы SMD

 [96]

Компонент реле

 [112]

Взрыватели защиты сети

 [178]
контакт
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED
Страна/регион:china
Контактное лицо:MissVicky
контактная информация
контакт
China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA wholesale
  • China Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA wholesale

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA
Спросите последнюю цену
Номер детали :ZXMP6A18DN8TA
Изготовитель :Включаемые диоды
Описание :MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC
Категория :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Семья :Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Место происхождения :Оригинал
Количество минимального заказа :Могущий быть предметом переговоров
Срок поставки :Могущий быть предметом переговоров
Условия оплаты :T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, западное соединение, MoneyGram
Способность поставки :100000
more
контакт

Add to Cart
Найти похожие видео
Посмотреть описание продукта

Спецификации ZXMP6A18DN8TA

Состояние части Активный
Тип FET P-канал 2 (двойной)
Особенность FET Ворота уровня логики
Стеките к напряжению тока источника (Vdss) 60V
Настоящий - непрерывный сток (id) @ 25°C 3.7A
Rds на (Макс) @ id, Vgs 55 mOhm @ 3.5A, 10V
Id Vgs (th) (Макс) @ 1V @ 250µA (минута)
Обязанность ворот (Qg) (Макс) @ Vgs 44nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds 1580pF @ 30V
Сила - Макс 1.8W
Рабочая температура -55°C | 150°C (TJ)
Устанавливать тип Поверхностный держатель
Пакет/случай 8-SOIC (0,154", ширина 3.90mm)
Пакет прибора поставщика 8-SOP
Пересылка UPS/EMS/DHL/FedEx срочное.
Условие Новая первоначальная фабрика.

Упаковка ZXMP6A18DN8TA

Обнаружение

Массивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TAМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TAМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TAМассивы MOSFETs FETs транзисторов транзистора влияния поля ZXMP6A18DN8TA

Метки товара:

npn transistor array

metal oxide semiconductor field effect transistor

pnp transistor array
Запрос Корзина 0

Home Products Suppliers About Us Contact Us Help Site Map 公司介绍 联系我们

Français Русский язык Español 日本語 Português

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9

Copyright © 2009-2025 Everychina.com. All rights reserved. 京ICP备09074326号-4